稀有金属

储备量分别为98天和79天，均在标准线之上。 稀有金属是电子、国防产业不可或缺的资源，而日本几乎所有的稀有金属都依赖进口。因此，１９８３日本年便建立起稀有金属储备制度，将钒、锰、钴、镍、钼、钨、铬等７种

，这个分数是在不惜成本，利用极为复杂的制造工艺或大量稀有金属等材料才达到的，尚无法得到广泛应用。 (编辑:xiaoyao)

半导体材料厂”。吴卫星和宁夏阳光硅业副总经理李海军均证实说：“关键设备和技术都是来自国外。” 据该公司高层人士介绍，在江苏阳光到宁夏之前，当地政府就与俄罗斯国家稀有金属工业研究设计院有过接触，而合作之后

吨高纯多晶硅、450兆瓦太阳能电池组件，总投资约60亿人民币。项目一期目标为年产1500吨高纯多晶硅，计划在两年内完成。该项目由俄罗斯国家稀有金属研究设计院与中国成达工程公司共同设计。 (2)孝感
占地面积500亩。年产电子级和太阳能级多硅晶1000吨。 辽宁省 锦洲凌海多晶硅项目项目将与俄罗斯国家稀有金属研究院联合成立研发中心，一期工程总投资11.5亿元，2008年底达产后，年产量可达

上考虑，因为多晶硅项目能耗高、规模大、周期长，所以各大项目均选择了靠近硅料产地、享有优惠电价的地区。 目前上市公司多晶硅项目多采用的是西门子法，具体技术来源不一，有的技术引进自俄罗斯国家稀有金属

19000吨，略有过剩；太阳能级的需求量为15000吨，供不应求，从2006年开始太阳能级和半导体级多晶硅需求的均有缺口，其中太阳能级产能缺口更大。 据日本稀有金属杂质2005年11月24日报道，世界

，CIGSSe薄膜太阳电池组件具有很多晶体硅太阳电池无与伦比的优势。 　　CIGSSe薄膜太阳电池原材料避开了紧缺的晶体硅，以稀有金属铟为材料，且我国铟的储量居世界第一，原料容易解决；另一方面，CIGSSe
生产最成熟的第二代光伏产品。孚日光伏项目采用“溅射金属预制层再硒化、硫化”所生产的CIGSSe（铜铟镓硫硒化合物）薄膜由铜、铟、硒等金属元素组成的直接带隙化合物半导体材料，稀有金属铟是重要的原材料

，排出碳和其他夹杂的稀有金属，形成雾状气体排出，得到高纯度的硅；第三步是利用混合气体助燃，引爆表面化的硼和磷，可以得到99.9999%的高纯硅。 　　不过这并不能保证过滤后残余的硼和磷是否小于1ppm

填补国内空白，金华冶炼还将与俄罗斯国家稀有金属研究院联合成立研发中心，以保持和进一步提高工业规模生产多晶硅世界领先的工艺水平。 　　金华冶炼的多晶硅项目一期工程占地250余亩，总投资11.5亿元，2008年底

半导体级多晶硅需求的均有缺口，其中太阳能级产能缺口更大。据日本稀有金属杂质2005年11月24日报道，世界半导体与太阳能多晶硅需求紧张，主要是由于以欧洲为中心的太阳能市场迅速扩大，预计2006年