离子注入系统
，并提供其相关的技术服务。2004年收入达80亿美元并连续13年在半导体生产设备领域独占鳌头。公司所生产的主要设备可进行离子注入，快速热处理(RTP)，化学机械抛光(CMP)，晶片检测及计量。目前在
申请人
改进薄膜太阳能电池互联的系统和方法
WO2007044555
2006-10-6
2007-4-19
APPLIED MATERIALS INC
半导体晶片装配设备，并提供其相关的技术服务。2004年收入达80亿美元并连续13年在半导体生产设备领域独占鳌头。公司所生产的主要设备可进行离子注入，快速热处理(RTP)，化学机械抛光(CMP)，晶片
检测及计量。目前在全球13个国家和地区拥有90多个芯片生产、销售和服务机构。 表1 Applied Materials公司部分专利名称公开号申请日期公开日期申请人改进薄膜太阳能电池互联的系统和方法
首先在空间等离子体区形成,而后再扩散到衬底表面长大成多晶膜。对于SiH4:H2气体系统,有研究表明,在高氢掺杂的条件下,当用RFPECVD的方法沉积多晶硅薄膜时,必须采用衬底加热到600℃以上的办法
(MILC)
20世纪90年代初发现a-Si中加入一些金属如Al，Cu，Au，Ag，Ni等沉积在a-Si∶H上或离子注入到a-Si∶H薄膜的内部，能够降低a-Si向p-Si转变的相变能量，之后对Ni
5．晶体硅太阳电池及材料引言 1839年，法国Becqueral第一次在化学电池中观察到光伏效应。1876年，在固态硒（Se）的系统中也观察到了光伏效应，随后开发出Se／CuO光电池。有关硅
。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可
