硅负极

，道理和缺陷相同。暗电流一般在分选硅片时要考虑，如果暗电流过大能说明硅片的质量不合格，如表面态比较多，晶格的缺陷多，有存在有害的杂质，或者掺杂浓度太高，这样的硅片制造出来的电池片往往少子寿命低，直接导致

容易使散热片被腐蚀。三、分类接线盒主要有两种类型：普通和灌封两种。普通接线盒采用硅胶密封圈密封，灌胶接线盒则采用双组分硅胶填充来灌封，普通接线盒应用较早，操作简单，但是密封圈使用年限较长时易老化。灌封
接线盒操作较复杂（需要填充双组分硅胶，并固化），但密封效果好，耐老化，能保证接线盒密封长期有效，且价稍便宜。注：灌封装接线盒以前一般用于薄膜组件，但是目前如尚德、阿特斯等也将其应用与晶体硅组件。接线盒

新型背板， 其主要是为了满足太阳能电池将正、负极转移到电池背面，形成背 接触电 池 ［ 金属 层 穿 孔 卷绕 硅 太阳 能 电 池（ ＭＷＴ） 、发射极环绕穿通硅太阳能电池（EWT） 和交错板接触

和IGBT的直流距离不超过10mm。局部放电是由正负极之间的气隙造成的，所以在尽量减少气隙，方法有两个：1、母排和绝缘片之间的粘合越紧密越好，不留下任何气隙，2、母排和绝缘片之间要非常干净，不能有任何
灰尘和脏污。杂散电感会产生尖峰电压，尖峰电压越高，对IGBT的损伤就越大，系统的损耗也越大。减少杂散电感常用的方法有三个：1是电流正极和负极之间的距离尽可能短，2是电流正极和负极方向尽可能上下叠加，3

排和直流母线薄膜电容完美结合。粉末喷涂式母排采用耐老化，耐腐蚀的高性能绝缘粉末，具有平滑光亮的外观及优越的产品电性能。定制的电容和IGBT的直流距离不超过10mm。局部放电是由正负极之间的气隙造成的
大，系统的损耗也越大。减少杂散电感常用的方法有三个：1是电流正极和负极之间的距离尽可能短，2是电流正极和负极方向尽可能上下叠加，3是电容到IGBT之间的距离尽可能短。5、Class H级别的电抗器导磁

基本原理,即统一原理、简化原理、协调原理和最 优化原理; 本规范制定过程中,主要参考了 GB/T18210-2000 晶体硅光伏(PV)方阵 I-V 特性的 现场测量、GB/T19964-2012
、安装质量和功能 10)汇流箱内正负极间的电气间隙/爬电距离 11)逆变器安装集中度,机房的安装位置,通风条件和建设质量 12)变压器的类型、安装位置和安装质量 13)防雷接地安装方式和安装质量 14

主要内容的依据和验证情况 -3-技术要求的制定完全依据标准化的基本原理，即统一原理、简化原理、协调原理和最优化原理；本规范制定过程中，主要参考了 GB/T18210-2000 晶体硅光伏(PV)方阵 I-V
）光伏阵列排列方式和安装质量7）直流电缆质量8）电缆铺设质量9）汇流箱的安装位置、安装质量和功能10）汇流箱内正负极间的电气间隙/爬电距离11）逆变器安装集中度，机房的安装位置，通风条件和建设质量12

;本规范制定过程中,主要参考了 GB/T18210-2000 晶体硅光伏(PV)方阵 I-V 特性的 现场测量、GB/T19964-2012 光伏发电站接入电力系统技术规定、GB/T20513-2006
5)方阵基础形式 6)光伏阵列排列方式和安装质量 7)直流电缆质量8)电缆铺设质量9)汇流箱的安装位置、安装质量和功能 10)汇流箱内正负极间的电气间隙/爬电距离 11)逆变器安装集中度,机房的安装

去年装机量，从13GW上调至15GW，主要增长的领域是在地面分布式。其中上半年装机3GW，下半年12GW；地面11GW，分布式4GW（以自发自用为主的）。从我们跟踪到的产业链价格来看，硅料价格已经酝酿涨价
。主要原因是需求的快速增长和供给的受限。需求的增长主要来源于中国，供给的限制主要是中国将美国的来料加工堵住，我们判断美国本土的多晶硅企业生存环境将会变得恶劣，甚至不排除会退出，这样将对行业带来极大的