硅薄膜

片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200

世界记录。HIT太阳电池组件HIT（Heterojunction with intrinsic Thinlayer）硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂
种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。与常规晶体硅太阳电池组件相比，HIT太阳电池

Thinlayer）硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压

Thinlayer)硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到

。太阳能电池，是基于光生伏特效应开发出来的一种光电转换器件，日前国际光伏市场上的太阳能电池主要有晶体硅（包括单晶硅、多晶硅）、非晶／单晶异质结（HIT）、非晶硅薄膜、碲化镉（CdTe）薄膜及铜铟硒（CIS
大面积生产，造价又低廉，但其转换效率仍比较低，并且稳定性差。因此，1991年三洋公司首次将本征非晶硅薄膜用于非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池（HIT），电池效率达18.1%，并在1997年实现HIT电池的

Saarinen设计的建筑瑰宝的各种独特的天窗方案。每块玻璃将由非晶硅薄膜光伏活性玻璃组成，层压在两块钢化安全玻璃之间，允许20%的可见光透射率(VLT)减少太阳能热增益，同时产生能量，同时可保留贝尔工厂的历史设计。贝尔工程也计划在其户外停车场提供电动车(EV)充电站，将利用新安装的光伏玻璃生产太阳能发电。

与非晶硅薄膜生产线、产品线技术升级和组件供应合约相关，公司此前曾表示已有部分相关账款完成支付，但仍有至少2.05亿美元账款在相关订单交付后仍处于应付状态。2010年和2011年的销售合约中仍未偿付的
款项具体金额仍不清楚。但是，与第三方签署的交钥匙非晶硅薄膜生产设备合约是在股票停牌后签署的，除去被取消的合约，均在2010年和2011年之后由汉能控股集团与汉能薄膜签署。只有在满足了SFC提出的所有要求

。 研究内容：主要开展包括碲化镉、铜铟镓硒薄膜、硅薄膜等太阳能电池产业化技术研发、大面积柔性硅基薄膜电池组件的规模化生产工艺研发，以及Ⅲ-Ⅴ族化合物电池、铁电-半导体耦合电池及铁电-半导体耦合

高效低成本光伏发电关键技术研究目标：研制出新型高效低成本光伏电池，突破大型光伏电站 设计集成和运行维护关键技术，掌握 GW 级光伏电站集群控制技 术。研究内容：主要开展包括碲化镉、铜铟镓硒薄膜、硅薄膜