硅烷法
最重要的部分。目前国内常用的多晶硅生产技术为“改良西门子法”，这一工艺同时形成大量的四氯化硅等氯硅烷副产物和氯化氢。在这个过程中，如果回收工艺不成熟，四氯化硅、氯化氢、氯气等有害物质极有可能外溢
的主要材料为多晶硅，而多晶硅的生产技术为改良西门子法，这一工艺会形成大量四氯化硅等氯硅烷副产物和氯化氢。如果回收工艺不成熟，四氯化硅、氯化氢、氯气等有害物质极有可能外溢。由于我国光伏企业引进的多是国外
光伏产业链主要包括多晶硅原料、太阳能电池、集成组件、发电工程四个相关的行业，其中多晶硅和太阳能电池是其中最重要的部分。目前国内常用的多晶硅生产技术为改良西门子法，这一工艺同时形成大量的四氯化硅等氯硅烷
方法包括改良西门子、冶金法、硅烷法。其中改良西门子是最成熟、也是最主流的技术。我国有90%以上的多晶硅生产采用改良西门子方法。改良西门子法按照氢化工艺的不同，分为热氢化和冷氢化。由于冷氢化能大幅地降低
改良之后,电耗的生产成本已经降至接近硅烷法的程度。第一代三氯氢硅法循环利用率不佳。四氯化硅直接被视为副产品,而氯化氢气体水溶后成为盐酸,同样不再进入循环使用。第一代三氯氢硅法多晶硅生产系统的回收和
索比光伏网讯:众所周知，以等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法生长的非晶硅和微晶硅材料，一直是薄膜太阳能电池制备中很有前景的材料。其中非晶硅电池具有极高的光吸收系数，且容易大规模生产，是目前较为
被工业化所普遍使用的材料都有着需要挑战和克服的难题，对于非晶硅锗来说，难题是如何制作大面积均匀的非晶硅锗膜层。作为锗的原料气体锗烷在等离子场中比硅烷更容易分解，这样在大面积制作薄膜时因为锗的含量分布
众所周知，以等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法生长的非晶硅和微晶硅材料，一直是薄膜太阳能电池制备中很有前景的材料。其中非晶硅电池具有极高的光吸收系数，且容易大规模生产，是目前较为普遍的硅基薄膜
使用的材料都有着需要挑战和克服的难题，对于非晶硅锗来说，难题是如何制作大面积均匀的非晶硅锗膜层。作为锗的原料气体锗烷在等离子场中比硅烷更容易分解，这样在大面积制作薄膜时因为锗的含量分布不均匀严重的影响
索比光伏网讯:众所周知，以等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法生长的非晶硅和微晶硅材料，一直是薄膜太阳能电池制备中很有前景的材料。其中非晶硅电池具有极高的光吸收系数，且容易大规模生产，是目前较为
被工业化所普遍使用的材料都有着需要挑战和克服的难题，对于非晶硅锗来说，难题是如何制作大面积均匀的非晶硅锗膜层。作为锗的原料气体锗烷在等离子场中比硅烷更容易分解，这样在大面积制作薄膜时因为锗的含量分布
PV17-0611涉及到利用多种工艺方法生产的多晶硅材料详细规范，包括化学气相沉积（CVD）法、冶金还原法和其他工艺方法。CVD工艺中包括了所谓的“西门子法”、流化床法、粉末法和其它使用蒸馏硅烷或卤化硅混合物
（CVD）法、冶金还原法和其他工艺方法。CVD工艺中包括了所谓的西门子法、流化床法、粉末法和其它使用蒸馏硅烷或卤化硅混合物的方法。这些特殊材料可用于生长单晶，铸造多晶，以及其他方法生长多晶硅材料，从而
