硅烷法

国际大厂的情况可以看出，德国的Wacker是全球知名的化工企业，其涉足的领域从盐矿开采、硅烷气到多晶硅、硅片，几乎与多晶硅相关的上游产品均可以自行生产；Hemlock的股东中，Dow Corning是由
大厂的产能当中主要是改良西门子法，而国内目前已经投产和即将投产的企业中，均采用改良西门子法； 国际大厂对多晶硅的垄断已经维持了数十年，鉴于多晶硅对IT行业的重要意义和目前行业的高利润，国际大厂

技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的

薄膜可采用硅烷气体通过LPCVD法直接沉积在衬底上，典型的沉积参数是：硅烷压力为13.3～26.6Pa，沉积温度Td=580～630℃，生长速率5～10nm/min。由于沉积温度较高，如普通玻璃的软化

替代产品，其中多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池是较好的选择。 　　制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺。多晶硅
盈利能力；下游的组件封装厂商议价能力相对较弱，在成本传导不畅的情况下，其盈利能力会受到影响。 　　非晶硅与晶硅相比，最大的区别在其工艺是将粗硅料制备为硅烷气体，然后直接将硅烷气体进行玻璃镀膜，最后制作

ürgen Pressl在签署合同后说：“这些原料可以帮我们顺利的扩充产能，我们的战略目标是到2012年产能达到500兆瓦。” NITOL多晶硅工厂位于西伯利亚，有自己的三氯硅烷厂
，采用西门子法。NITOL的 CEO Dimitry Kotenko说：“我们认为ersol是一个长期的客户和战略伙伴，我们将努力培养二者之间的关系。” 编辑：曹宇E-mail

采用辉光放电（GD）或等离子体增强化学气相沉积（简为PECVD）制备了氢化无定形硅（a一Si：H）薄膜。这种方法采用射频（直流）电磁场激励低压硅烷等气体，辉光放电化学分解，在衬底上形成a七i薄膜。开始
中的氢的移动有关a-Si材料是在较低的温度下，通过硅烷类气体等离子体增强化学分解，在衬底上淀积获得的。它的硅网络结构不可避免地存在硅的悬键。这些悬键如果没有氢补偿，隙态密度将非常高，不可能用来制作

。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可
产生氢钝化的效果。 在高效太阳电池上常采用表面氧钝化的技术来提高太阳电他的效率，近年来在光伏级的晶体硅材料上使用也有明显的效果，尤其采用热氧化法效果更明显。使用PECVD法在更低的温度下进行表面

1956年英国国际标准电气公司的标准电讯实验所研究成功了SiH4热分解制备多晶硅的方法，被称为硅烷法。1959年日本的石冢研究所也同样成功研究出该方法。美国联合碳化物公司研究歧化法制备SiH4，1980年

薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池是较好的选择。　　制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺。多晶硅薄膜电池由于所使用的硅材料
较弱，在成本传导不畅的情况下，其盈利能力会受到影响。　　非晶硅与晶硅相比，最大的区别在其工艺是将粗硅料制备为硅烷气体，然后直接将硅烷气体进行玻璃镀膜，最后制作电极和封装。非多晶硅工艺相对简单，产业链上环

、本征层掺痕量硼法、等。此外，为了提高a-Si薄膜材料的掺硼效率，用二基硼代替二乙硼烷作掺杂源气。为了获得a-Si膜的高淀积速率，采用二乙硅炕代替甲硅烷作源气。 所谓化学退火，就是在一层一层
5．新技术探索 为了提高非晶硅太阳电池的初始效率和光照条件下的稳定性，人们探索了许多新的材料恰工艺。比较重要的新工艺有：化学退火法、脉冲虱灯光照法、氢稀释法、交替淀积与氢卫法、掺氟