硅基IGBT
。 本次推出的1200V 80m 碳化硅MOSFET，与传统的硅基IGBT功率器件相比，宽禁带碳化硅材料拥有更高、更快、更强的特性更高的耐压和耐热、更快的开关频率，更低的开关损耗。优异的高温和高压特性使得
缺点，限制了它的应用范围，一是电流较小，迄今为止SiC MOSFET和肖特基二极管的最大额定电流小于100A，大功率逆变器用不上;二是产能不足，价格还比较贵;三是稳定性和硅基IGBT相比还差
和阻断电压高的优点，但开关频率不高，驱动电流较大。第三代是MOSFET，它是一种电压控制型器件，控制功率极低，开关频率高，但输出特性不好。每四代是绝缘栅晶体管(IGBT)，它是一种用MOS栅控制的
碳化硅也有缺点，限制了它的应用范围，一是电流较小，迄今为止SiC MOSFET和肖特基二极管的最大额定电流小于100A，大功率逆变器用不上;二是产能不足，价格还比较贵;三是稳定性和硅基IGBT相比还差
开关损耗小和阻断电压高的优点，但开关频率不高，驱动电流较大。第三代是MOSFET，它是一种电压控制型器件，控制功率极低，开关频率高，但输出特性不好。第四代是绝缘栅晶体管(IGBT)，它是一种用MOS栅
《2016年工业强基工程合同书》，主要内容为形成电力电子器件用8英寸高阻区熔中照硅单晶圆片的生产能力，满足国内600V~6.5kV的IGBT生产的需求。据悉，本项目的实施将进一步提升中环股份区熔硅单晶技术的
，推动国内相关的新型电子电力器件、节能型功率器件等产业的发展，实现高端材料的规模化生产，增强我国功率器件用硅基材料国际竞争力，进一步拓展国际市场，对提升我国8寸区熔硅单晶的中照水平起到巨大的推动作用。
孤岛效应"测试等各种新规范。在对硅基MOSFET等新材料的要求方面，SiC技术在碳化物领域发生了显著的改变，使得MOSFET(金氧半场效晶体管)的生产能力远超出了相类似的硅绝缘栅双极型晶体管
(insulated-gatebipolartransistor，简称IGBT)，特别是在高压高温的条件下。这就为改善光伏逆变器效率提供了一个可行之路。逆变器及其相关标准MPPT效率，即在一定时间内，逆变器由
