硅串联结构
选型
光伏组件
根据项目要求、成本、转换效率和可用面积、选择单晶或者多晶组件。
按某品牌多晶硅电池板参数：选取275Wp组件396块，总功率108.9kWp。
光伏逆变器组件
电压要求:
(1)组串开路电压处于逆变器的MPPT电压范围内并且大于启动电压;
(2)同一路MPPT中，不同组串中组件并联数量相同，所串联的电池板规格一致;
电流要求：组串并联后电流不大于逆变器最大
几乎一致。
2、横排竖排支架用钢量
支架用钢量理论上一样。支架是将组件固定在上面，并支撑组件自重、抗风雪载荷等的结构。在同一地区风雪载荷固定，组件倾角一致的条件下，被用支架来支撑的组件数量一定
决定的。我们先来看看组件的组合原理，如图8所示，以通常的60片电池片组件为例，由60片电池片串联而成，每20片加装1个旁路二极管，且电池片串联方向基本是东西方向U型回路。
图8 组件电路图
硅、磷掺杂背场(BSF)、背面减反射膜和背面电极。n-PERT双面电池和单面电池相比，主要在于背面结构的不同，双面电池的背面采用高透过的SiNx做钝化/减反射膜，背面金属电极和前面金属电极一样，占电池
晶体硅太阳电池实际上是一个大的平面二极管，就n型电池而言，电池的基体是n-Si，基体的前表面通过扩散重掺杂形成p+发射极，p+发射极与n-Si基体接触形成p+-n结，基体的背表面通过扩散或者
发射极上面的前电极输出到外电路，驱动负载运行。如图1（a）所示，n-PERT双面电池的结构为：金属电极、前表面减反膜、硼掺杂发射极、n型硅、磷掺杂背场（BSF）、背面减反射膜和背面电极。n-PERT
索比光伏网讯:晶体硅太阳电池实际上是一个大的平面二极管，就n型电池而言，电池的基体是n-Si，基体的前表面通过扩散重掺杂形成p+发射极，p+发射极与n-Si基体接触形成p+-n结，基体的背表面通过
电池技术到底牛在哪里？我们特别将IBC电池的结构原理、工艺技术以及发展状况做了细致的梳理。IBC电池的原理及特点IBC电池（全背电极接触晶硅光伏电池）是将正负两极金属接触均移到电池片背面的技术，使面朝
光伏科学与技术国家重点实验室宣布，经第三方权威机构JET独立测试，以23.5%的光电转换效率创造了156×156 mm2大面积N型单晶硅IBC电池的世界纪录。公司已15次打破IBC电池的世界纪录。IBC
with Intrinsic Thinlayer)电池是在单晶硅片的两面分别沉积本征层、掺杂层和TCO以及双面印刷电极。HJT电池具有结构对称、地位制造工艺、高开路电压、温度特性好、无LID和PID效应等特点
电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻低，转换效率高;并且可以适用于更薄的硅片，使得进一步较大幅度降低成本成为可能。2017年3月，在全球综合能源展览PV EXPO上
太阳能电池技术
HJT(Heterojunction with Intrinsic Thinlayer)电池是在单晶硅片的两面分别沉积本征层、掺杂层和TCO以及双面印刷电极。HJT电池具有结构对称、地位
片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面，从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻低，转换效率高;并且可以适用于更薄的硅片，使得
;2)MWT(金属穿孔卷绕)电池组件、技术是在硅片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻
低，转换效率高;并且可以适用于更薄的硅片，使得进一步较大幅度降低成本成为可能;3)黑硅电池组件，黑硅技术近期的进展可能归结于两个主要因素：第一，金刚线切割能够大幅度的降低多晶硅片成本，但传统的酸制绒
穿孔卷绕）电池组件、技术是在硅片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻低，转换效率
高；并且可以适用于更薄的硅片，使得进一步较大幅度降低成本成为可能；3）黑硅电池组件，黑硅技术近期的进展可能归结于两个主要因素：第一，金刚线切割能够大幅度的降低多晶硅片成本，但传统的酸制绒导致电池效率降低
激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻低，转换效率高;并且可以适用于更薄的硅片，使得进一步
Emitter and Rear Cell)电池通过在电池背面实行钝化技术，增强光线的内背反射，降低了背面复合，从而使电池的效率能够有效提高;2)MWT(金属穿孔卷绕)电池组件、技术是在硅片上利用
