砷化镓

显而易见的体现。到目前为止，汉能全球累计专利申请达到10200件，仅2018年，汉能平均每天专利申请超30件。《中国产业2018年基本情况及2019年展望报告》中指出：汉能砷化镓薄膜单结电池转化率达到

。 主持或参加完成的科研项目层子模型理论获得1982年国家自然科学二等奖，高效率硅太阳电池获得1978年全国科学大会奖，黑色硅太阳电池、化学镀全镍电极黑色硅太阳电池和航天用高效率砷化镓太阳电池分别获
云南省1978年、1979年科技成果三等奖、二等奖和1995年云南省科技进步三等奖。砷化镓太阳电池获得1996年航天工业总公司科技进步二等奖(部级)等十多项次省、部级以上科技成果奖励。 以上只是

汉能旗下子公司。汉能Alta Devices致力于砷化镓(GaAs)移动能源技术，具有高转换效率，配以轻、薄、柔的特性，使薄膜太阳能芯片能够在不影响设计外观的情况下，广泛应用于汽车、无人机、无人驾驶
系统、卫星、消费类电子产品、传感器、远程探测等各类应用领域。 如今，汉能Alta Devices研发的高转换率砷化镓薄膜太阳能电池已被波音公司、美国宇航局等先后应用于平流层永飞无人机以及国际空间站

线太阳能电池具有很好的社会价值以及大规模运用的前景。Fontcuberta教授说："我们研究的纳米线电池是基于砷化镓的，砷化镓是一种具有非常理想的光电转换性能的半导体材料。" 最早的砷化镓运用
地降低了每瓦的成本。 为了进一步地增加对光线的吸收，Fontcuberta教授及其研究组正在优化这一方案。例如：砷化镓纳米线与其它的纳米尺度的材料相结合，在横向和纵向两个方向上进行。其中一个例子是使用砷

(GaInP、AlGaInP、GaInAs)的生长技术取得重大突破，为多结叠层太阳电池研制提供了多种可供选择的材料。 砷化镓电池与硅光电池的比较 1、光电转化率： 砷化镓的禁带较硅为宽，使得它的光谱响应
性和空间太阳光谱匹配能力较硅好。硅电池的理论效率大概为23%，而单结的砷化镓电池理论效率达到27%，而多结的砷化镓电池理论效率更超过50%。 2、耐温性 常规上，砷化镓电池的耐温性要好于硅光电池

能造成其工艺设备的故障，直接影响产品的优良率。 乾照光电作为国内产量领先的全色系LED外延片、芯片以及高性能砷化镓太阳电池，红黄光芯片领域的龙头企业。其投资50亿元建设南昌蓝绿生产基地

技术创新最显而易见的体现。到目前为止，汉能全球累计专利申请达到10200件，仅2018年，汉能平均每天专利申请超30件;《中国产业2018年基本情况及2019年展望报告》中指出，汉能砷化镓薄膜单结电池转化率

相比有什么特点时，李河君表示：6平方米高效砷化镓柔性薄膜电池集成于车身上，在日均4小时光照下，可以驱动汽车行驶80至100公里。薄膜太阳能颠覆了传统利用能源的方式，特斯拉需要用很多充电桩，我们可以边走

铜铟镓硒(CIGS)和砷化镓(GaAs)技术，并打造了汉瓦、汉墙、汉路、汉纸、汉包、汉伞等创新产品，创造了移动能源行业，挖掘了广阔的蓝海市场。目前，汉能各主要技术路线的薄膜太阳能芯片转换率保持和打破

，而光电转换率较高的材料如砷化镓(galliumarsenide，GaAs)也通常包含单晶硅薄膜材料。上述材料都因其独特的性能而用于特定的光伏发电领域。这些特性包括：结晶度、带隙大小、吸收性能和加