对它们在光电转化方面的应用具有重要意义。
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究生耿秀梅在导师程国胜、刘立伟研究员指导下,与中科院物理所和国家纳米中心科研人员合作,在石墨烯-半导体量子点复合体系光电
低维碳纳米材料的发现或合成,重新引起了人们对碳材料的巨大研究兴趣,加快了纳米材料和技术的发展。自2004年英国Manchester大学A.K.Geim组用力学剥离方法制备出石墨烯(Graphene
、低电阻的新型透明导电膜。
作为在大范围波长下具有高透射率、低电阻的材料,被看好的是富士电机控股开始开发的石墨烯(Graphene)。其特点是,迁移率为1万5000cm2/Vs,比ITO的20
~50cm2/Vs高三位数。这样,即使将表面电阻设定为与ITO同等的10Ω/sq,也可形成对大范围波长具有高透射率的薄膜。
富士电机控股利用涂布方法形成了石墨烯薄膜。涂布用材料由廉价石墨制造
碳材料在功率半导体、太阳能电池等能源器件用途也能够发挥威力。 金刚石和碳薄膜的利用 功率半导体适合使用金刚石(图A-1)。因为击穿电场和载子迁移率远大于SiC和GaN,所以使用金刚石的功率半导体在耐压性、工作效率方面占优。在过去,单晶金刚石底板存在直径还只能做到3~4mm的问题,但随着晶体生长方法的改进,“已经实现了13mm直径”(产业技术综合研究所金刚石研究中心副主任鹿田真一