直接硅片技术

下多晶硅和单晶硅的区别么?比如性能、生产成本、用途等等方面的不同?范斌：改良西门子法、GCL法或者硅烷法生产出来的产品称为高纯硅料，通常纯度在99.9999%以上(6个9)。将高纯硅料熔化后直接浇铸
成立方硅锭，就得到了多晶硅;将高纯熔化后通过提拉法获得单晶，就得到了单晶硅。顾名思义，多晶硅的硅锭中存在许许多多互相独立的晶格，像是由许多小晶体拼接起来的，而单晶硅棒或者单晶硅片整体属于同一个晶体。由

单晶组件的性价比将更加明显，多晶为主之厂商为维持竞争力，导入金刚线切多晶硅片变为势在必行的选项，但与之搭配的黑硅技术情形仍显复杂。不仅干法、湿法、添加剂直接蚀刻等技术路线未定，硅片厂、电池厂仍在权衡由哪一

;2)MWT(金属穿孔卷绕)电池组件、技术是在硅片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻

穿孔卷绕）电池组件、技术是在硅片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻低，转换效率

Emitter and Rear Cell)电池通过在电池背面实行钝化技术，增强光线的内背反射，降低了背面复合，从而使电池的效率能够有效提高;2)MWT(金属穿孔卷绕)电池组件、技术是在硅片上利用

、拼效率的时代。按照国家能源局提出的发展目标，到十三五末，太阳能发电规模要比2015年翻两番，成本下降30%。光伏先进技术之争，将直接决定着整个产业发展目标能不能顺利实现。 在未来，哪些技术能够
存在光致衰减(LID)问题(从组件厂家的质保承诺来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。 采用了PERC技术后，光生空穴

、拼效率的时代。按照国家能源局提出的发展目标，到“十三五”末，太阳能发电规模要比2015年翻两番，成本下降30%。光伏先进技术之争，将直接决定着整个产业发展目标能不能顺利实现。在未来，哪些技术能够
来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的“B-O对”导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，“B-O对”与

、拼效率的时代。按照国家能源局提出的发展目标，到十三五末，太阳能发电规模要比2015年翻两番，成本下降30%。光伏先进技术之争，将直接决定着整个产业发展目标能不能顺利实现。在未来，哪些技术能够脱颖而出

。按照国家能源局提出的发展目标，到十三五末，太阳能发电规模要比2015年翻两番，成本下降30%。光伏先进技术之争，将直接决定着整个产业发展目标能不能顺利实现。在未来，哪些技术能够脱颖而出，走到所有技术