直拉

主要产品直拉硅单晶因为生产量大，在当时被冠上中华之最的头衔。 研究所研发的半导体高纯气体硅烷，也深受企业欢迎。由于制作高纯度硅材料需要用到高纯度的硅烷气体，研究所就先开发了一套制造高纯度硅烷气体的办法

带来的高反射率，绒面结构接近直拉单晶产品。同时，PERC电池技术在多晶领域应用日趋广泛，全球P型多晶电池产能正在向PERC技术转移，预计在不久的将来成为P型晶硅太阳电池的常规工艺。在领跑者政策的支持下

多晶硅片表面的陷光特性，大幅降低金刚线切割带来的高反射率，绒面结构接近直拉单晶产品。同时，PERC电池技术在多晶领域应用日趋广泛，全球P型多晶电池产能正在向PERC技术转移，预计在不久的将来成为P型晶硅

金刚线切割带来的高反射率，绒面结构接近直拉单晶产品。同时，PERC电池技术在多晶领域应用日趋广泛，全球P型多晶电池产能正在向PERC技术转移，预计在不久的将来成为P型晶硅太阳电池的常规工艺。在领跑者政策的

反射率，绒面结构接近直拉单晶产品。同时，PERC电池技术在多晶领域应用日趋广泛，全球P型多晶电池产能正在向PERC技术转移，预计在不久的将来成为P型晶硅太阳电池的常规工艺。 在领跑者政策的支持下，国内

比例增加。近年来，金刚线切在多晶领域开始规模化推广，将大幅降低硅片切割加工成本。同时配套的黑硅电池技术可以提高多晶硅片表面的陷光特性，大幅降低金刚线切割带来的高反射率，绒面结构接近直拉单晶产品。同时

，但是光反射率也高。黑硅电池技术可以提高多晶硅片表面的陷光特性，大幅降低金刚线切割带来的高反射率，绒面结构接近直拉单晶产品。同时，PERC电池技术在多晶领域应用日趋广泛，全球P型多晶电池产能正在向
。公司单晶的布局主要是用多晶铸锭的工艺生产单晶产品，推出的鑫单晶G2在常规电池工艺下的转换效率达到19.5%，性价比直接挑战直拉单晶。鉴于目前单晶市场启动有个过程，协鑫会根据市场需求调整单多晶硅片的生产

、新引进工业设备1120台，新建直拉厂房、DW切片厂房、110KVA电站、腐蚀车间、污水处理站等，新增单晶硅材料产能约6GW，硅单晶切片产能约6GW，达产后可解决3000人就业。项目建成后，中环光伏年产

组件功率达300瓦。据介绍，该P型单晶硅PERC电池以大面积工业级硼掺杂的直拉法(Cz)硅片为衬底，采用背钝化技术，运用量产的材料、工艺与技术。天合光能副总裁、光伏科学与技术国家重点实验室主任冯志强称此次

)光电转换效率平均达21.1%，利用该电池制备的组件功率达300瓦。据介绍，该P型单晶硅PERC电池以大面积工业级硼掺杂的直拉法(Cz)硅片为衬底，采用背钝化技术，运用量产的材料、工艺与技术。天合光能