直拉

，12英寸2万片/月。公司同时掌握区熔法(FZ)与直拉法(CZ)，后将两种技术结合，创造出直拉区熔法(CFZ)，结合了直拉和区熔两种方法的优点，使得产品既可以像直拉法那样方便控制电阻率，又可以获得区熔法

太阳电池采用了大面积工业级磷掺杂的直拉N型硅片衬底，集成超薄隧穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子隧穿效应和表面钝化，实现面积为244.62平方厘米的电池正面光电转换效率达到24.58%。该结果

直拉法、区熔法技术的硅片制造商，从已披露产能规划看，未来将以6英寸-8英寸区熔硅片及8英寸-12英寸直拉硅片为主。公司多元化的单晶硅生产规划契合市场发展趋势，直拉硅片为市场主流，主要应用为半导体
集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池等，直径呈不断增大趋势，公司已投资建设大直径直拉硅生产基地，在8英寸硅片领域公司已经成为国内领先企业，同时承担国家02专项《区熔硅单晶片产业化技术与国产设备研制》填补

国际硅片龙头发展路径，硅片产业链的完整性和协同性有利于提升硅片企业的竞争优势，中环股份协同晶盛机电共筑大硅片产业链，其产品包括 12 英寸、8 英寸直拉法硅片、8 英寸和 6 英寸的区熔法硅片;是国内
唯一同时具备直拉法、区熔法单晶硅量产技术的领先者，同时承担国家 02 专项《区熔硅单晶片产业化技术与国产设备研制》填补国内高压大功率 IGBT 芯片产品制造需求 募投项目量产 8 英寸/12 英寸

，净利率可达20%。 公司的区熔硅片已经做到全球第三，国内第一，除8寸区熔硅片外中环也在募投8寸直拉硅片，用于集成电路wafer的制造，由于在光伏单晶上有直拉技术的积淀，中环在半导体8寸直拉硅片已在投产

、210硅片龙头：中环股份 公司目前是直拉单晶210硅片的独家垄断者，未来三年内都是供不应求的状态，半导体这块发展也很好。TCL成为大股东后，会大规模投资，通过产能彻底碾压166产能。 市值翻番是确定的

设备与产业协会 WSTS指世界半导体贸易统计组织 半导体材料指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料 单晶硅指整块硅晶体中的硅原子按周期性排列的单晶硅，是用高纯度多晶硅为原料，主要通过直拉法和区熔法
取得 抛光片指对切割研磨后再经过抛光获得的硅片 直拉法指切克劳斯基(Czochralski)方法，一种制备单晶硅的主要方法，利用旋转着的籽晶从坩埚中提拉制备出单晶 区熔法指一种利用悬浮区熔技术制备

%，牢牢占据龙头地位;半导体领域，公司自设立以来一直与半导体材料厂商保持良好的商业和研发合作关系，叠加自身强大的技术实力，率先实现8~12 寸直拉、区熔单晶炉、匹配超导磁场的12 寸单晶硅生长炉

硼(B)掺杂的P型单晶硅(Cz-直拉法)电池的光衰现象早在1973年已发现，该光衰之后被发现可一定程度恢复的。 Jan Schmidt发现了该光衰主要是B-O对引起的并给出了该缺陷的结构

PERC电池效果尤其明显。 悉尼新南威尔士大学(UNSW)开发了氢化技术，可以减少直拉单晶硅电池和组件中的LID和LeTID。UNSW与中国很多生产厂家都有合作，如天合、隆基等，提升了单晶PERC电池