直拉单晶

贝尔实验室。又逾四年，其初用于太空也。 时单晶生长技术终日为产能与成本所累，直拉单晶炉技术瓶颈之突破亦举步维艰也。为辟蹊径，基于浇铸工艺与定向凝固工艺之多晶铸锭应运而生，然限于位错密度及除杂之困

实验室。又逾四年，其初用于太空也。时单晶生长技术终日为产能与成本所累，直拉单晶炉技术瓶颈之突破亦举步维艰也。为辟蹊径，基于浇铸工艺与定向凝固工艺之多晶铸锭应运而生，然限于位错密度及除杂之困，多晶电池之

，多晶结构是无数个单晶的结合体。从晶体品质来说，业内做技术的人员非常清楚，无论是位错密度还是杂质含量，单晶都好于多晶的水平。直拉单晶硅的晶体品质优于铸锭多晶，决定了单晶电池转换效率优势。而在电站质量方面

个单晶的结合体。从晶体品质来说，业内做技术的人员非常清楚，无论是位错密度还是杂质含量，单晶都好于多晶的水平。直拉单晶硅的晶体品质优于铸锭多晶，决定了单晶电池转换效率优势。而在电站质量方面，超过30年发电

在那个年代，以半导体工艺为基础的单晶生长技术产能极其有限，单晶电池成本居高不下，人们想尽一切办法扩大晶体产量，最有效的方法就是扩大硅料生长的炉体空间，在直拉单晶炉技术瓶颈未解的情况下，开始尝试浇铸工艺和定向

电池成本居高不下，人们想尽一切办法扩大晶体产量，最有效的方法就是扩大硅料生长的炉体空间，在直拉单晶炉技术瓶颈未解的情况下，开始尝试浇铸工艺和定向凝固工艺制造晶体硅，多晶铸锭应运而生，然而它的晶体结构始终是无数
生产背钝化单晶电池，同时，直拉单晶炉的单体产能提升到过去的3倍，材料成本快速降低，而多晶铸锭炉的单体产能瓶颈则始终无法突破。预计到2016年底，在单晶组件功率高出10%左右的条件下，单晶组件与多晶组件

电池成本居高不下，人们想尽一切办法扩大晶体产量，最有效的方法就是扩大硅料生长的炉体空间，在直拉单晶炉技术瓶颈未解的情况下，开始尝试浇铸工艺和定向凝固工艺制造晶体硅，多晶铸锭应运而生，然而它的晶体结构始终是无数
大批量生产背钝化单晶电池，同时，直拉单晶炉的单体产能提升到过去的3倍，材料成本快速降低，而多晶铸锭炉的单体产能瓶颈则始终无法突破。预计到2016年底，在单晶组件功率高出10%左右的条件下，单晶组件与

毛利的N型硅片出货比例有望持续上升，在未来改善公司业绩。 公司CFZ技术是适用高效电池理想硅片技术之一。公司自主研发的CFZ技术兼具区熔和直拉硅片的特点，具有片间参数高斯分布集中、超低氧含量
和2015年电站实现净利润大约为3.61亿、11.56亿元，贡献EPS为0.28、0.63。 8寸区熔单晶和IGBT功率器件是半导体业务看点。公司区熔单晶的行业龙头地位稳固，市占率超70%,盈利

做技术的人员非常清楚，无论是位错密度还是杂质含量，单晶都好于多晶的水平。直拉单晶硅的晶体品质优于铸锭多晶，决定了单晶电池转换效率优势。而在电站质量方面，超过30年发电实践，单晶是唯一经受长期验证的

做技术的人员非常清楚，无论是位错密度还是杂质含量，单晶都好于多晶的水平。直拉单晶硅的晶体品质优于铸锭多晶，决定了单晶电池转换效率优势。而在电站质量方面，超过30年发电实践，单晶是唯一经受长期验证的