直拉单晶

ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件

，形成n型硅半导体。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。
熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。 单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其

、直拉单晶硅头尾料过渡到大量采用SoG硅。现在，多晶硅厂商大都针对太阳能硅材料开展新的技术研究、扩大产量。随着全球太阳能电池需求量的持续增长，预计到2030年左右，全球太阳能产业硅材料用量将是半导体产业
国太阳能用硅材料市场需求量将达到249.9亿平方英寸，2007年-2011年需求量年均复合增长率达到39.6%。 太阳能电池分为晶体硅电池和薄膜涂层电池两类，效率较高的晶体硅电池又分单晶

，直接影响着整个光伏产业的发展。太阳能级直拉单晶作为硅太阳能电池最重要的材料之一，其市场需求将在未来3～5年持续快速增长。实施年产240吨太阳能级单晶硅项目建设，可继续满足国内外对太阳能电池用硅单晶的市场需求

　　阅读提示 　　单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国，以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在核心技术缺乏的问题，高端产品均为国外公司所

。 M C Z硅单晶中，由于含氧量得到控制，因而形成氧化物沉淀的几率减小，堆垛层错和片子翘曲变形等也相应变小。在制造LSI和VLSI工艺中，这种高质量的单晶比常规CZ单晶更胜‘筹。这一点已在素尼公司

条纹; 4.减少了由氧引起的各种缺陷; 5.由于含氧量可控，晶体的屈服强度可控制在某一范月内，.从而减小了片子的翘曲; 6.尤其是硼等杂质沽污少，可使直拉硅单晶的电阻率得到大幅度的
石英柑祸壁的反应速率，增大氧官集层的厚度，以达到控制含氧量的目的。与常规CZ单晶相比，最低氧浓度可降低一个数量级; 3.有效地咸少或消除杂质的微分凝效应，使各种杂质分布均匀，减少生长

生长晶体时，可用磁场来获得高质量的InSb晶体。1970年，Witt等人提出横向磁场中生长直拉InSb晶体的报告。尔后，熔体的温度波动和设备的机械振动等问题难于解决，人们对MCZ法是否具有实用意义提出
，并获得令人满意的结果。据麻省理工学院的H.C.Gatos教授来华讲学说，日本索尼公司就是用了他所研究的成果。这样，1981年在明尼阿波利斯召开的国际第四届半导体硅会议上，横向磁场中生长直拉硅晶体的工艺

一、引言 近年来，半导体硅工艺中，出现了一种令人注目的新工艺—外加磁场直拉(MCZ)法〔l〕。它给硅材料工业带来一大变革。 半导体工业所用的硅单晶，几乎90%是用
浓度。氧在硅晶体内的分布是不均匀的:沿晶体轴向，头部浓度最高，尾部浓度最低;沿晶体径向，中间浓度高，边缘浓度低。直拉‘硅单晶中氧起着有益的和有害的两种作用。’从有益方面来说，由于钉扎位错，增强了硅晶格

直拉法生产硅单晶，必须使用石英坩埚。石英坩埚按生产的硅单晶的级别分类有电子级和太阳能级，而电子级又根据产品的类别对石英坩埚有不同的要求。多年来通过石英坩埚及硅材料厂家的相互配合与支持，石英坩埚的
有限公司等。从这些公司公布的产品标准来看，跟国际标准(美国GE公司)相当。石英坩埚的主要指标包括三个方面：几何尺寸；纯度、杂质含量；外观。几何尺寸体现了精加工水平，由于单晶生产厂家的热场系统(主要是石墨