电流密度下,效率仍保持在30.0%以上。图文解读图1:钙钛矿薄膜的制备过程和表征。图2. 双添加剂钙钛矿发光二极管的器件结构和性能。图3. 钙钛矿薄膜的光学性能。图4:钙钛矿薄膜的结构表征。本研究首先通过
线间距会增加填充因子(FF),但短路电流密度会因遮挡增加而减少。这两种效应相互抵消,使得两组电池的转换效率相当。此外,研究人员还测试了三种栅线宽度,即20μm、18μm和15μm。结果显示,使用15
,还有另一种光电转换效率的公式,它考虑了填充因子(FF)、开路电压(Voc)和短路电流密度(Jsc):η = FF * Voc * Jsc / Pin2、充电电压(Vmax):Vmax = V额
0.08 cm2的孔径面积为24.8%,具有1.18 V的VOC,25.1 mA cm-2的短路电流密度(JSC),以及84.1%的FF(图3E)。对于MeO-2PACz,获得了最大PCE为
技术的研发,开发高临界电流密度、高临界温度和低成本的超导储能超导带材,探索新型水系电池、液态金属电池、金属空气电池、重力储能、氢储能等其他新型储能技术示范。提高新型锰基正极、硅基负极等材料性能,提升
72.40%,与先前的报道相当。利用FAPbI3-PQD作为光吸收材料制备了太阳能电池器件,使用不同的配体交换方法制备了PQD活性层。器件结构如图1a所示,制备条件见方法部分。通过电流密度(J)-电压(V
的短路电流密度(JSC),但比PQD-PbNO3器件具有更低的开路电压(VOC)。由于PQD-PbNO3和PQD-FAI的光学带隙几乎相同,PQD-FAI器件中降低的VOC表明更高的陷阱密度。图2a
物的形态特征演化,从而获得最佳形态。与PM6:PY-IT的铸态器件相比,所有SA处理的二元器件均表现出17.4–18.3%的增强功率转换效率,并且短路电流密度和填充因子明显提高。据我们所知,SA-T1
了电池正面测量各项参数的平均值(Av.),TLS切片后电池经PET处理后正面转换效率ηf=22.1%,VOC=669
mV,FF=81.4%,短路电流密度Jsc,des=40.5mA/cm2。由于
LSMC切片电池ηf=21.7%。与pSPEER电池相比,pSPEERPET电池具有更高的正面效率增益Δηf=+0.4%abs,这是由于短路电流密度和FF的提升,ΔjSC=+0.2mA/cm2、ΔFF
。对于Pb钙钛矿太阳能电池,特征器件(2PACz HTL)的JV扫描(正反扫描)如图1c所示,开路电压(Voc)为1.04 V,短路电流密度(Jsc)为24.5 mA/cm2,填充系数(FF)为
,HTL 高度设置为 800 nm。最终的电池设计在仿真的支持下,实现了 19.98% 的功率转换效率、0.94 V 的开路电压、24.45 mA/cm² 的短路电流密度和 86% 的填充因子。这一突破性成果不仅解决了钙钛矿稳定性问题,也为其在工业领域的广泛应用打开了新的可能。