电池银浆

多主栅技术的应用由来已久，它在提升电池光学利用的同时降低了封装的电学损耗并提高了组件功率，同时还减少了电池片银浆的消耗，这是一项各方面看起来都非常完美的技术，然而人们却鲜有真正去考量多主栅组件实际

理论上来说应该是非常明显的。通过栅线变细提高电池的受光量、降低组件串联电阻，可使晶硅组件功率提升约5W(相对5主栅)，另一方面该技术还可以节省部分银浆耗量，从而降低电池成本。 但是，理论归理论，MBB

带宽度，减小栅线等方面，一方面降低银浆用量实现降本，另一方面通过减小电池片间距来提高组件输出功率;中来股份则认为，未来组件的发展趋势为双面、高效以及大尺寸，在双面组件上，中来股份力推双面含氟透明背板

多主栅(MBB)技术通过提高电池的受光量、降低组件串联电阻可使晶硅组件功率提升约5W(相对5主栅)，另一方面该技术还可以节省部分银浆耗量从而降低电池成本，因此随着多主栅设备成熟度的提升，2019年
/m2)MBB功率增益主要来自两个方面：电学增益-多主栅缩短细栅线电流传输距离，降低串联电阻Rs，进而降低电阻损耗;光学增益-增加了入射角0时的电池受光量。而在实际环境中，辐照量往往低于1000W/m2

，对考生将来毕业之后的职业规划是十分有所裨益的。 一、从专业来看 光伏全产业链范围非常广，从最上游的金属硅、多晶硅、硅片、银浆、PET基模，到中游的光伏玻璃、电池片、EVA、背板、密封胶、边框
、接线盒、层压件，再到下游支架逆变器、组件、汇流箱、蓄电池、EPC等等。不同环节对专业的需求也有所差别。制造端的产品研发工作主要涉及的是光伏材料加工与应用技术等相关专业;应用端则主要以电气工程及自动化

，配套地要求使用低温银浆、透明导电层(TCO)，而TCO存在较强的自由载流子吸收。此外仅靠单层TCO作为减反射层，减反效果较差。综合这些因素可以认为钝化接触电池是目前更具有量产前景的钝化接触技术
本文摘要 在晶体硅太阳能电池中，金属-半导体接触区域存在严重的复合，成为制约晶体硅太阳能电池效率发展的重要因素。隧穿氧化层钝化金属接触结构由一层超薄的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层组成，可以显著降低金属

更好 多主栅技术可以节约电池银浆耗量，提升组件功率，既能降本又能增效，一举两得。但据张朝阳分析认为，多主栅技术受限于切片技术的高性价比以及自身良率等影响，目前主要作为冲高效率的叠加方案，而并非市场倾向
更优，电池片转换效率提升1%或者组件通过减少封装损失提高15W的封装功率，光伏地面电站建设成本约降低5%。近几年电池片和组件环节处于快速的技术更迭中，那么当下的高效技术趋势如何发展呢?此次会上，从协鑫

离子注入机国产化降低投资成本及主栅技术应用降低银浆成本,技术优势明显。2017年以来,已有晋能、林洋能源、LG等众多企业进入该领域,产能占电池片总产能的5%。众多公司的投入将共同推动N型硅片成本的下降和N
MBB黑硅PERC多主栅产品是协鑫下一步的发展主流，其特殊的栅线设计，使电池表面受光面积更大，电池银浆耗量更低。 目前协鑫集成已有效解决了多晶PERC电池的衰减问题。经电池LID衰减测试，相对电池

3月1日，工信部印发《光伏制造行业规范条件(2018年本)》，强调严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目。在新建和改扩建企业及项目产品应满足的条件中，要求多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别
不低于19%和21%。 此前工信部发布的2017年我国光伏产业运行情况显示，P型单晶及多晶电池技术持续改进，常规产线平均转换效率分别达到20.5%和18.8%，采用钝化发射极背面接触技术(PERC

膜的方法，由于减反膜较厚，目前行业市场化的正面电极银浆无法穿透氮化硅减反膜而到达p-n 结，使正面银浆与硅基体不能形成良好的欧姆接触。因此，本文彩色多晶硅太阳电池在制备过程中最重要的工序是腐蚀，即在