电池扩建

电池扩建,索比光伏网为您提供电池扩建相关内容,让您快速了解电池扩建最新资讯信息。关于电池扩建更多相关信息,可关注索比光伏网。

光伏扩产卷土重来 管理层紧急出手防过热来源:证券日报 发布时间:2018-04-10 08:58:36

绝大多数光伏制造企业,特别是第一梯队企业而言,扩产是保持竞争力以及摊薄成本的捷径。 支持基于技术迭代的理性扩产 2011年,美国率先对中国出口的太阳能电池板发起双反(反倾销、反补贴)调查,掀起了针对
行业规范条件(2018年本)》要求,严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目,引导光伏企业加强技术创新、提高产品质量、降低生产成本。新建和改扩建多晶硅制造项目,最低资本金比例为30%,其他新建和改扩建光伏制造

黑鹰巨制 | 光伏18罗汉闯关IPO !来源:黑鹰光伏 发布时间:2018-04-04 20:50:30

光伏组价的寿命和发电效率。应用于晶硅电池的光伏玻璃主要采用压延法,应用于薄膜电池的光伏玻璃主要采用浮法。据统计,2015年全世界93%的晶体硅电池组件采用中国生产的光伏玻璃。 据中国建筑玻璃与工业

光伏下午茶(第610期)来源:老红看光伏 发布时间:2018-04-03 14:53:20

在整个市场走访的过程,发现业内普遍存在一种对未来的焦虑 只要保证你的产品可以在全球前5%的先进产能内,再激烈的市场竞争,你生存和发展都会有保障 按照建设全球前5%优势产能、高质量、低成本的太阳能电池
片和太阳能电池组件生产线的目标,晋能科技公司与杨立友核心技术团队签署了合作协议 山西省国资委批复同意,确定了晋能每年利润的20%奖励给技术管理团队,技术管理团队将业绩奖励的60%增资公司的业绩奖励

光伏再现产能过剩之忧 业内建议突破关键技术来源:经济参考报 发布时间:2018-04-03 08:41:12

近日,工信部发文要求严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目。《经济参考报》记者调研了解到,国内光伏又现新产能过剩之忧。中国光伏协会最新数据显示,我国在多晶硅、硅片、电池、组件领域都呈现产能过剩迹象
西北地区)部分省(区)在运风电装机已超过2020年规划目标。中国光伏协会最新数据显示,我国在多晶硅、硅片、电池、组件领域都呈现产能过剩迹象。2017年全年新增装机量约53GW,同比增长超过53.6

2017年四季度太阳能产能扩张公告达最高记录来源:pv-tech 发布时间:2018-03-27 10:43:08

冷嘲热讽。 四季度发布的公告并无不同之处。四季度薄膜、太阳能电池和组件以及集成电池和组件制造领域的总产能约为40GW。这也与上一季度公布的不到5GW的总量形成鲜明对比。 2014-2017月度
一大部分。 10月份公告的总量合计为3250MW。自从实施c-Si太阳能电池计划以来,已经有三个月没有重大举措了。c-Si太阳能电池计划占了总量中的750MW。大部分计划产能来自c-Si组件部分,达到

特斯拉将为澳洲维多利亚州提供首批大型并网储能电池来源:pv-tech 发布时间:2018-03-27 10:36:31

电池组能够提供电网稳定性并减少扩建变电站的需求。此外,电池组还有助于以更低的成本提高周边风电和太阳能发电的供应量。 澳大利亚电力公司根据长期购电协议(PPA)运营两个电池组。预计本月开始施工,两个

黑硅技术将成量产高效多晶电池标配来源:亚化咨询 发布时间:2018-03-22 08:54:37

3月1日,工信部印发《光伏制造行业规范条件(2018年本)》,强调严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目。在新建和改扩建企业及项目产品应满足的条件中,要求多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别

6家总营收469.15亿!保利协鑫、中来、横店东磁、易事特、先导智能、科陆企业财报发布(详见财报数据分析表)来源:光伏头条 发布时间:2018-03-19 22:36:06

%;随着2016年“年产1,600万平方米涂覆型太阳能电池背膜扩建项目”的最终投产,2017年,公司背膜产能已完全释放; 2)全年累计在高效电池领域投入研发费用0.57亿元元,占泰州中来光电营业总收入的

重庆华金凤山风电场区域预估3MW光伏发电测光服务招标公告来源:索比光伏网 发布时间:2018-03-19 15:00:39

报告。 经初步测算,金凤山风电场扩建范围内可布置约2.5MW光伏电池板,在建金凤山风电场升压站及周边可布置约0.5MW光伏电池板,共计3MW,根据国家和集团公司对能源结构调整的要求,为了整体开发和提升

2018年5大潜在因素促使光伏行业持续发展来源:新能源投融资圈 发布时间:2018-03-19 09:26:25

(CdTe)及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10%。新建和改扩建企业及项目产品的技术指标要求则更高:多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于19%和21%;硅基