未公开,这两年的专利申请可能更多;其涉及的内容包括染料敏化太阳能电池的整体制备方法、光阳极的制备方法、对电极的制备方法、封装方法及材料和大面积化工艺等,基本涵盖了整个DSSC领域。中科院化学所从
新技术。2013年欧盟批准了实施薄膜太阳能电池专案,就是基于纳米材料和工艺低成本高效率硫族化合物太阳能电池开发和规模化制备的专案,项目总预算超过1000万欧元。目前我国光伏产业受到外部冲击和产能过剩的
、系统及装备四个方向对太阳能发电科技发展进行全线规划布局。材料方面,太阳能级硅材料位于光伏产业链最上游,生产技术含量高、投资大。多晶硅材料与太阳电池关键配套材料生产制备技术的发展有利于降低光伏电池
多晶铸锭。发展高效节能低成本多晶硅材料的清洁生产技术和太阳电池关键配套材料制备技术,将有利于降低光伏电池生产成本和实现硅材料生产的环境友好。相关内容包括:改良西门子法、硅烷法、物理、化学冶金法多晶硅
方向对太阳能发电科技发展进行全线规划布局。材料方面,太阳能级硅材料位于光伏产业链最上游,生产技术含量高、投资大。多晶硅材料与太阳电池关键配套材料生产制备技术的发展有利于降低光伏电池生产成本和光伏发电
应用有所延误;同时,早期对单晶硅的紧迫的需求被贝尔实验室的管理层所拒绝,进一步拖延了硅的应用进展。幸亏,一位贝尔实验室的化学家Gordon Teal,一个天生孤僻的人,秘密地坚持对单晶制备工艺的执著
年以前,区域熔炼一直是制备晶体管的一个基本工艺。在早些年,物理学家、冶金学家、化学家在贝尔实验室内部都有各自的团队,但是在创建半导体设备中的合作经历使他们融合在一起,并且现在许多实验室的工作人员会简单地把他们归结为材料科学家。
二氧化硅制备工艺技术研究和气相二氧化硅表面处理及尾气循环利用技术研究两个课题,实现利用多晶硅生产副产物四氯化硅生产高品质气相二氧化硅的关键技术突破,成功建成年产2000吨生产线,在进一步延伸产业链的同时实现
技术,为深入研究多晶硅生产技术积累经验;2000年,中国恩菲率先在国内开展了多晶硅高效节能环保生产技术与装备研究,率先获得国家发明专利四氯化硅氢化制备三氯氢硅方法授权;2002年,完成年产2000吨三
降低了串联电阻。IBC电池的核心问题是如何在电池背面制备出质量较好、呈叉指状间隔排列的P区和N区。为避免光刻工艺所带来的复杂操作,可在电池背面印刷一层含硼的叉指状扩散掩蔽层,掩蔽层上的硼经扩散后进入N型
方法。目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法,包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺。此外,液相外延法(LPPE)和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。 化学气
降低了串联电阻。IBC电池的核心问题是如何在电池背面制备出质量较好、呈叉指状间隔排列的P区和N区。为避免光刻工艺所带来的复杂操作,可在电池背面印刷一层含硼的叉指状扩散掩蔽层,掩蔽层上的硼经扩散后进入N型
索比光伏网讯:有望应用于透明、可折叠手机、平板电脑和PC等领域 难度就相当于要在一个标准足球场上铺一层薄薄的保鲜膜,要做到让它完全平整并且完好无损,需要高度科学和精确的工艺控制水平。在解释要制备出
实现对石墨烯层数可控生长。相对于目前市场上主导的透明导电膜ITO,该院制备出的石墨烯透明电极透光率更高,达到97.1%,面积大、缺陷小、使用流畅、功耗更低、性能更稳定,整体更薄更轻,成本大大低于ITO,有望引领触摸屏、柔性显示、太阳能电池等相关领域的革命。