电池制备工艺

光电转换平均效率提高0.3-0.45%、效率分布集中度提高15%以上，硅片性能再次大幅度提升，可用于制备255/260W（60片）、305/310W（72片）电池组件，满足高端客户需求。鑫多晶S3将继续引领
性能优势将为电池工艺改进带来倍增效果。保利协鑫高纯多晶硅料更为鑫多晶S3持久高性能表现提供了可靠的保证。此前第二代产品鑫多晶S2已获得客户广泛认可，成为目前市场上最具统治力的高效多晶硅片产品

降低光伏组件的成本和提高光伏组件的转换效率两个目标，不断推出光伏新设备和新工艺。这将促进太阳能电池片产品生产商加快技术改造的步伐。今年，制备高转换效率的纳米表面结构的黑硅材料使用的等离子体浸没离子注入

载流子扩散长度远大于Si片厚度。高质量Si衬底要求及复杂制备工艺，使产业化的IBC电池的制备成本很高。 2.非晶硅Si/N-Si异质结太阳能电池 日本三洋公司

的一线制造厂商对高端设备需求更加迫切。进入2013年，中国光伏设备制造商针对降低光伏组件的成本和提高光伏组件的转换效率两个目标，不断推出光伏新设备和新工艺。这将促进太阳能电池片产品生产商加快技术改造的
炉，6～8英寸区熔硅单晶炉，高效可靠的硅片切割设备和融合了更先进工艺技术的新一代全自动化晶硅太阳能电池片生产线等设备的产业化，将成为今年国产光伏设备新的增长点。 再次，今年第一季度晶硅太阳能设备

制造厂商对高端设备需求更加迫切。进入2013年后，中国光伏设备制造商针对降低光伏组件的成本和提高光伏组件的转换效率两个目标，不断推出光伏新设备和新工艺。这将促进太阳能电池片产品生产商加快技术改造的步伐
加料装置并采用下排气结构的高效低能耗全自动硅单晶炉、6～8英寸区熔硅单晶炉、高效可靠的硅片切割设备和融合了更先进工艺技术的新一代全自动化晶硅太阳能电池片生产线等设备的产业化，将成为下一步国产光伏设备市场

降低光伏组件的成本和提高光伏组件的转换效率两个目标，不断推出光伏新设备和新工艺。这将促进太阳能电池片产品生产商加快技术改造的步伐。今年，制备高转换效率的纳米表面结构的黑硅材料使用的等离子体浸没离子注入

设备制造商针对降低光伏组件的成本和提高光伏组件的转换效率两个目标，不断推出光伏新设备和新工艺。这将促进太阳能电池片产品生产商加快技术改造的步伐。今年，制备高转换效率的纳米表面结构的黑硅材料使用的等离子体

设备的核心制备技术和工艺，使电池转换效率提升至20%以上，并形成批量产品。项目的实施对提升我国光伏电池技术创新能力和产业化水平具有重要意义。 会上，与会专家认真听取了项目各课

。由于电池发电的P-N结位于电池背面，IBC电池需要Si材料的少数载流子扩散长度远大于Si片厚度。高质量Si衬底要求及复杂制备工艺，使产业化的IBC电池的制备成本很高。2.非晶硅Si/N-Si异质结