电池制备工艺
初期，打开隔热笼，边角长晶速度相对比中心长晶速度快，固液界面呈凹状，熔体中杂质在硅锭中心底部沉积，造成硅锭红外探伤图上出现阴影。通过多晶铸锭炉热场结构的改进及工艺的优化，使得晶体生长初期边角长晶速度变慢
，固液界面的凹度变小，甚至使固液界面变平或微凸，底部杂质向硅锭四周扩散，可消除多晶硅锭中心区硅棒阴影。
目前，主流单晶电池企业通过提升单晶硅片发电效率，减小相对多晶的成本劣势，使多晶硅片的主导地位
近年来，晶硅太阳能电池的效率不断取得突破，但是晶硅电池的理论效率并不高，如何通过其他的手段，或者用更加优良的材料制备高效新型太阳能电池成为了当下研究的热点。作为一种新型材料，石墨烯在太阳能电池中的
设备 本实验采用多晶P型硅片尺寸为156.75mm156.75mm，厚度为(20020)m，电阻率为1～3˙cm。实验采用常规的太阳能电池生产线工艺制备多晶硅电池片。即C-Tex清洗制绒去除硅片表面
，大大降低多晶PERC工艺的背抛光成本。据介绍，TS+系列硅片由于性价比的显著提升，使其具备很大的应用推广价值。采用TS+黑硅片的电池平均转换效率可达19.0%，组件(60片型)输出功率达275W以上
副总裁郑雄久、副总裁胡晓君等出席发布会，保利协鑫副总裁吕锦标主持发布会。金善明报告指出，保利协鑫TS+系列黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化
电池平均转换效率可达19.0%，组件（60片型）输出功率达275W以上，金善明表示。相比常规多晶组件，基于TS+黑硅片制备的60片组件，其组件功率提高5W以上，降本幅度可达 6.5分/瓦，性价比十分
独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化效果，效率更高而成本更低，性价比显著提升。TS+黑硅片正面采用第二代湿法黑硅制绒技术，继承了第一代黑硅片优良的绒面结构，而陷光性能更优。经验
实施提供可靠的材料基础，大大降低多晶PERC工艺的背抛光成本。据介绍，TS+系列硅片由于性价比的显著提升，使其具备很大的应用推广价值。采用TS+黑硅片的电池平均转换效率可达19.0%，组件（60片型
、首席技术官万跃鹏、高级副总裁郑雄久、副总裁胡晓君等出席发布会，保利协鑫副总裁吕锦标主持发布会。金善明报告指出，保利协鑫TS+系列黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面
实施提供可靠的材料基础，大大降低多晶PERC工艺的背抛光成本。据介绍，TS+系列硅片由于性价比的显著提升，使其具备很大的应用推广价值。采用TS+黑硅片的电池平均转换效率可达19.0%，组件（60片型
、首席技术官万跃鹏、高级副总裁郑雄久、副总裁胡晓君等出席发布会，保利协鑫副总裁吕锦标主持发布会。金善明报告指出，保利协鑫TS+系列黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面
、干法黑硅(RIE)及湿法黑硅(MCCE)等，由于RIE和MCCE成本及工艺等原因，目前大多数企业以金刚线直接添加剂法制备金刚线切割多晶硅片的减反射绒面，当然由于添加剂法制备的电池转换效率低等因素，决定其
黑硅（RIE）及湿法黑硅（MCCE）等，由于RIE和MCCE成本及工艺等原因，目前大多数企业以金刚线直接添加剂法制备金刚线切割多晶硅片的减反射绒面，当然由于添加剂法制备的电池转换效率低等因素，决定其只是
厚度可降至几到几十微米以下，还具备原料消耗率低、工艺简单、制备能耗小、可大面积连续生产等特点。另一个相对于晶硅电池很大的优势是在柔性衬底上制备的薄膜电池具有可卷曲折叠、不怕摔碰、重量轻、弱光性能好等特点
