电子级多晶硅

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多晶硅价格下跌 分布式光伏是未来趋势来源:风雷网 发布时间:2015-01-19 11:32:38

上周多晶硅多晶硅硅片、太阳能电池价格均出现下跌。据 PV Insights 样本统计,上周 PV 多晶硅、二级 多晶硅价格分别下跌 0.41%、0.32%;多晶硅硅片、单晶硅硅片价格分别

2014年中国十大光伏名企热点回顾【协鑫篇】来源:OFweek 太阳能光伏网 发布时间:2015-01-16 08:10:23

千克/小时。目前试运行装置全面打通生产全流程,实现连续试生产的颗粒硅产品品质已经能达到电子标准,全流程电耗达到25 千瓦时/公斤,其中流化床反应炉电耗达到2 千瓦时/公斤,产品成本大幅低于现有改良
。 当然,如果纯以市值来论,汉能的优势十分明显。然而,协鑫在光伏产业的根基却更为稳固这家由昔日民营电王朱共山一手创办的企业,掌握中国将近五成的多晶硅产能,半数以上的太阳能企业和其有直接供货关系。也难怪

光伏产业面临重大机遇 10概念股反击来源: 发布时间:2015-01-15 09:13:59

反弹的态势,行业预计将迎来规模扩大、发展前景打开的新阶段。据预测,2014年我国多晶硅产量超过13万吨,达到前所未有的水平。若加上接近10万吨的进口量,多晶硅供应量或将达到23万吨。而行业复苏发生的背景
PE。风险提示:政策不达预期;产品价格竞争超预期;分布式项目推进不达预期;储能业务推进不达预期。  林洋电子:增发顺利推进 买入评级2015-01-14 类别:公司研究 机构:齐鲁证券 研究员:曾朵红

OFweek视点:太阳能光伏企业一周动态浏览(图)来源: 发布时间:2015-01-14 01:56:59

并网测试中,华为智能光伏电站解决方案核心产品SUN2000系列并网逆变器组成的光伏电站各项指标表现良好,一举通过兆瓦级电站现场零电压穿越试验、低电压穿越测试、频率扰动试验和电能质量测试四项并网性能测试
了一条血路,华为SUN2000系列逆变器作为目前唯一一款在电站现场完成兆瓦级单元测试并一次性通过了国标低零电压穿越、电网频率扰动和电能质量的逆变器。为其光伏电站智能解决方案提供了更多了可利用,起到了极大

近期市场聚焦:15光伏巨头占80%份额“惑众”吗?来源:OFweek 太阳能光伏网 发布时间:2015-01-13 09:39:12

》一出,立马上头条。《意见》提出,到2017年底,形成一批具有较强国际竞争力的骨干光伏企业,前5家多晶硅企业产量占全国80%以上,前10家电池组件企业产量占全国70%以上,形成多家具有全球视野和领先
实力的光伏发电集成开发及应用企业。 虽然目前确切的光伏行业集中度尚未有数据出炉,但多位行业内人士认为整体行业尤其是多晶硅产业集中度较高,不过还有提升空间。 也有专家认为,随着国家屡屡出台支持

太阳能光伏市场近期热点聚焦:15巨头占80%份额“惑众”吗?来源: 发布时间:2015-01-13 00:37:59

,到2017年底,形成一批具有较强国际竞争力的骨干光伏企业,前5家多晶硅企业产量占全国80%以上,前10家电池组件企业产量占全国70%以上,形成多家具有全球视野和领先实力的光伏发电集成开发及应用企业
。虽然目前确切的光伏行业集中度尚未有数据出炉,但多位行业内人士认为整体行业尤其是多晶硅产业集中度较高,不过还有提升空间。也有专家认为,随着国家屡屡出台支持分布式光伏电站的政策,以及国内外下游电站项目的增加

工信部:《光伏制造行业规范条件(2015年本)》(征求意见稿)【正文】来源: 发布时间:2015-01-12 15:10:59

/T25074)1级品的要求;2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s,碳、氧含量分别小于16和14PPMA;单晶硅片少子寿命大于10s,碳、氧含量分别小于2和18PPMA;3.多晶硅电池和单晶硅电池的

工信部公开征求对《光伏制造行业规范条件(2015年本)》(征求意见稿)的意见来源:工信部 发布时间:2015-01-12 14:16:28

能不低于200MWp;7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp;8.逆变器年产能不低于200MWp。(四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求:1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1级品的

工信部公开征求《光伏制造行业规范条件(2015年本)》意见来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2015-01-12 14:06:53

以下要求: 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1 级 3品的要求; 2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s,碳、氧含量分别小于16和14PPMA;单晶硅片少子寿命

工业和信息化部公开征求对《光伏制造行业规范条件(2015年本)》(征求意见稿)的意见来源:阳光工匠光伏网 发布时间:2015-01-11 23:59:59

级品的要求;2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s,碳、氧含量分别小于16和14PPMA;单晶硅片少子寿命大于10s,碳、氧含量分别小于2和18PPMA;3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换