方法制备CdS/CdTe太阳电池,转换效率约为10.8%,开路电压Voc753mV,短路电流Isc23.6mA/cm2,填充因子FF0.61。电脐电压。温度曲线测量表明,理想因子A随温度而变。当温度从
的大产业,非晶材料的这第一次挑战十分成功,还启动了对非晶材料的科学技术研究。1957年斯皮尔成功地测量了a一Se材料的漂移迁移率;1958年美国的安德松第一次在论文中提出,无定形体系中存在电子局域化
缺陷的a一Si合金薄膜;只需改变气相成分或者气体流量便可实现…n结以及相应的迭层结构;生产可全流程自动化。(3)品种多,用途广。薄膜的aSi太阳电池易于实现集成化,器件功率、输出电压、输出电流都可自由
(BSF)电池——在电他的背面接触区引入同型重掺杂区,由于改进了接触区附近的收集性能而增加电他的短路电流;背场的作用可以降低饱和电流,从而改善开路电压,提高电池效率。 (2)紫光电他一一这种电池最早
晶界复合起抑制作用。这种电池对后来的高效电池起到过渡作用。 (7)聚光电池——聚光电他的特点是电池面积小,从而可以降低成本,同时在高光强下可以提高电池开路电压,从而提高转换效率,因此聚光电池一直