玻璃液

温度高于600℃,衬底使用昂贵的石英，但制备工艺较简单。另一类是低温工艺，整个加工工艺温度低于600℃，可用廉价玻璃作衬底，因此可以大面积制作，但是制备工艺较复杂。目前制备多晶硅薄膜的方法主要有如下几种
薄膜可采用硅烷气体通过LPCVD法直接沉积在衬底上，典型的沉积参数是：硅烷压力为13.3～26.6Pa，沉积温度Td=580～630℃，生长速率5～10nm/min。由于沉积温度较高，如普通玻璃的软化

入射方向、激光模式、刻划速度和Q开关调制频率是决定刻痕形貌的主要参量。从玻璃面入射比从薄膜面入射更容易得到高质量的刻痕。图5是分别用1064nm激光和532nm的激光刻划CdS/CdTe薄膜后，用探针式
。 化学腐蚀方法中，常用体积浓度为0.1%的溴甲醇溶液作为腐蚀液，腐蚀时间8～15秒。虽然使用该腐蚀工艺制备的小面积电池转换效率高达16.5%，但是溴甲醇溶液在空气中容易氧化，不适合工业化

33%，并成功地采用了一种无定形有机材料代替电解液，从而使它的成本比一块差不多大的玻璃贵不了多少，使用起来也更加简便。可以预料，随着技术的进步和市场的拓展，光电池成本及售价将会大幅下降。表4为地面用光
，太阳能热水器产品经历了闷晒式、平板式、全玻璃真空管式的发展，目前其产品的发 展方向仍注重提高集热器的效率，如将透明隔热材料应用于集热器的盖板与吸热间的隔层，以减少热量损失；聚脂薄膜的透明蜂窝已在德国和

，SiO2，Si，Al2O3，SiAlON，Al等，从目前的文献看有以下一些衬底: （１）单晶硅 （２）多晶硅 （３）石墨包SiC （４）SiSiC （５）玻璃碳 （６）SiO2膜
目前，制备多晶硅薄膜的工艺方法主要有以下几种： （１）化学气相乘积法（ＣＶＤ法） （２）等离子体增强化学气相沉积法（ＰＥＣＶＤ法） （３）液相外延法（ＬＰＥ） （４）等离子体溅射沉积法

备CdS薄膜，其方法主要是将含有3和Cd的化合物水溶液，用喷涂设备喷涂到玻璃或具有SnO2导电膜的玻璃及其它材料的衬底上，经热分解沉积成CdS薄膜。 各国不同学者采用的工艺都基于如下热分解效应
） 用元素合成法制备近似满足化学计量比的p型CulnSe2多晶晶块作为输运源料，用碘或碘化氢气体作为输运剂，以铝片、石墨片、w／A12O2或MO／玻璃作衬底，在封闭系统中进行蒸发

kaneka公司采用PECVD技术在550℃以下和玻璃衬底上制备出具有pin结构的多晶硅薄膜电池，电池总厚度约2尸m，效率达到10％；德国Fraunhofer太阳能研究所使用SiO2和siN包覆陶瓷或sic
出30cmX40cm的中试电池组件。薄膜采用CVD 工艺沉积，衬底为玻璃，通过激光刻槽和化学镀实现接触、互联和集成。据称，电池组件的主要成本是封装玻璃，商业化后的发电成本可与煤电相比。2太阳电池用晶硅材料2．1

99.999999999％，11 个 9）熔融于石英坩埚中，然后把晶种插入液面，以每分钟 2 ~ 20 转的速率旋转，同时以每分钟 0.3 ~ 10 毫米的速度缓慢的往上拉引，如此即可形成一直径 4
个9）熔融于石英坩埚中，然后把晶种插入液面，以每分钟2~20转的速率旋转，同时以每分钟0.3~10毫米的速度缓慢的往上拉引，如此即可形成一直径4~8吋单晶硅碇，此制作方法称为柴氏长晶法