EG。光子能量超过EG 马上转换为热,如图2.6。图2-6 电子孔穴对的产生和超过EG 能量散失太阳能电池量子功效(Q.E.)定义为一入射光中从价带移动到导带的电子子数量。最大波长被能带限定。入射太阳光
2.1、光照效果硅太阳能电池是一个二极管,由p型硅(一般为硼掺杂)和n型硅(一般为磷掺杂)结合形成。当光照射电池时有很多种情形,如图2-1所表现的那样。图2-1:光在电池中的吸收特性注:1.光在顶部
产生了电流。这就是众所周知的光生伏特效应。1.4.1、发电原理太阳能电池是由半导体材料制作而成,内部是由多个P-N结并联而成。在没有光照的情况下,太阳能电池可以看作是一个二极管,其内部载流子处在
绪论ink"光伏学是一门利用太阳能电池将太阳光直接转化为电能的一种技术。早在1839 年,法国人埃德蒙 贝克勒尔19 岁时,在他父亲的实验室里第一次论证(证实了)了光电池的设计。然而,对于这种效用的
会显着降低少子寿命和太阳电池性能。因此减少表面复合和杂质复合是进一步提高晶体硅电池效率的关键问题。
目前,商品化的晶体硅太阳能电池普遍采用铝背场(ALBSF)来钝化电池背表面,降低少数载流子在电池
晶体硅太阳能电池的表面积与体积的比率大,表面复合严重。此外,与半导体级硅片相比,太阳能级单晶硅和多晶硅体内存在大量的杂质和缺陷,而这些杂质和缺陷会充当复合中心,增加复合速率。表面复合和杂质缺陷复合
、使电子与空穴分别转移到不同电极是由pn结来完成的。而江村表示,只利用内部电场梯度分离激子具有许多优点,其中最大的优点是能够减少电子与空穴的复合和热弛豫。
举例来说,一般的Si类太阳能电池为了
太阳能电池存在的问题是,波长短于带隙的光因热弛豫而损失,而波长较长的光会发生透射,无法有效利用。这种现象被称作Shockley-Queisser limit,关系到单结太阳能电池的最大性能。
而此次
。 对于一般的太阳能电池,分离激子、使电子与空穴分别转移到不同电极是由pn结来完成的。而江村表示,只利用内部电场梯度分离激子具有许多优点,其中最大的优点是能够减少电子与空穴的复合和热弛豫
。 举例来说,一般的Si类太阳能电池为了提高光吸收率,仅活性层经常就达到数十m甚至更厚。这使得大多数波长短、能量高的光子在远离pn结的地方就变成热激子,在抵达pn结分离成电子和空穴之前,就已经因复合和
(CIGS)电池、砷化镓(GaAs)叠层电池等薄膜电池为代表的太阳能电池,以及以染料敏化电池-光电化学电池(Grātzel电池)、有机电池、多结(带隙递变)电池、热载流子电池等新型电池及新概念电池为代表的
的高效多晶晶体生长机理,通过更加先进的热场设计和优化工艺,具有更窄的效率分布、更低的错位密度、更高的少数载流子寿命等特征,同时结合公司自主研发的错位品质专利技术,有效保证了M4的转换效率
,涵盖全球40多个国家,员工总数超过6,000人。英利集团成立于1987年,1999年承担国家"年产3兆瓦多晶硅太阳能电池及应用系统示范项目",填补了国家不能商业化生产多晶硅太阳能电池的空白。2007年
挑战多晶硅的支配地位。隆基股份新任钟宝申董事长称,单晶硅片非硅成本三年内可降至每瓦0.06美元。
我国太阳能电池制造当前仍占世界主导地位,但不可忽略的一点是,我国光伏组件主要还是靠低价取胜
输出功率可达280-335峰瓦。
根据赛维LDK首席技术官万跃鹏介绍,赛维LDK高效多晶硅片M4采用了新的高效多晶晶体生长机理,通过更加先进的热场设计和优化工艺,具有更窄的效率分布、更低的错位
晶体生长机理,通过更加先进的热场设计和优化工艺,具有更窄的效率分布、更低的错位密度、更高的少数载流子寿命等特征,同时结合公司自主研发的错位品质专利技术,有效保证了M4的转换效率。而BBL组件采用的是无主栅背接触
很快就能挑战多晶硅的支配地位。隆基股份新任钟宝申董事长称,单晶硅片非硅成本三年内可降至每瓦0.06美元。我国太阳能电池制造当前仍占世界主导地位,但不可忽略的一点是,我国光伏组件主要还是靠低价取胜。对于
一百多倍,因此,研究微风下的风力发电,是绝对没有经济性的。
(二) 硅基薄膜太阳能电池技术
2008年以前,由于多晶硅价格很高,人们对于硅基薄膜电池技术进行了大量的投入。但随着多晶硅的价格
从500美元/公斤降到了现在的20美元/公斤,硅基薄膜电池的技术不再有任何的价格优势。反之,由于硅基薄膜太阳能电池的转换效率较低,因此,导致支架、电缆、面板等材料的用量增加,现在,硅基薄膜光伏电站的