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热处理
多晶硅薄膜的制备方法 (2)来源：solarbe.com 发布时间：2007-06-20 01:49:03
与薄膜厚度有关。 金属诱导非晶硅晶化法制备多晶硅薄膜具有均匀性高、成本低、相连金属掩蔽区以外的非晶硅也可以被晶化、生长温度在500℃。但是MILC目前它的晶化速率仍然不高，并且随着热处理时间
（二）发展碲化镉薄膜太阳电池的几个关键问题来源：四川大学 发布时间：2007-06-14 22:23:53
℃～450℃的热处理。该工艺同时也促进CdS/CdTe的界面扩散，减少界面的格子失配程度和钝化了薄膜的晶界势垒。但该工艺在碲化镉膜面形成了一高阻氧化层，可以用化学腐蚀或离子刻蚀去除CdTe膜面的高阻
太阳能光伏技术――多晶薄膜与薄膜太阳电池来源：世纪新能源网 发布时间：2007-06-08 23:59:59
102Ω-1cm-1左右。对CdS热处理也能使电导率增加108Ω-1cm-1的量级。 在相对低温下进行热扩散，以免使膜退化。当在空气中加热到300℃时，由于氧在晶界有化学吸收，使光电导率衰减
热处理不但有效地滤掉了薄膜内部的氧，而且有利于膜在优势晶向上长大。1.4 CdS薄膜和Cu2S/CdS太阳电池的制备方法1.4.1喷涂法 60年代初，已有人开始采用喷涂或涂刷技术，研究CdS薄膜及
太阳能光伏技术——多晶薄膜与薄膜太阳电池来源：solarbe.com 发布时间：2007-06-08 17:25:55
CdS变成n-CdS，电导率可达102-1cm-1左右。对CdS热处理也能使电导率增加108-1cm-1的量级。
在相对低温下进行热扩散，以免使膜退化。当在空气中加热到300℃时，由于氧在晶界
，消除氧的吸附作用，降低了电阻率，因此热处理不但有效地滤掉了薄膜内部的氧，而且有利于膜在优势晶向上长大。
1.4 CdS薄膜和Cu2S/CdS太阳电池的制备方法
1.4.1喷涂法
60
太阳能设备市场不断扩大 Amtech收到190万美元订单来源：semi 发布时间：2007-05-22 10:22:27
据Reed-Electronics网站报道，为太阳能电池、硅晶圆片和MEMS行业提供产品、自动系统及相关服务的Amtech Systems公司日前表示收到一笔总额约为190万美元热处理及自动化设备的
