激光硅沉积
PERC电池为主，PERC电池市场占比达到86.4%。
1) Al-BSF电池技术。为改善太阳能电池效率，在P-N结制备完成后，在硅片的背光面沉积一层铝膜，制备P+层，称为铝背场电池。铝背层主要进行表面
衬底隔离的方案减少少子复合，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子空穴复合，进而电子在多晶硅层横向传输
：HJT发展潜力大，为下一代电池技术方向
HJT电池的生产工艺相对简单但技术难度高，设备国产化持续推进中。HJT只需4步工艺但技术难度较大：制绒清洗设备(投资占比10%)、非晶硅沉积设备(投资占比
投资要点
● 需求端：政策支持发展，2021年新增光伏项目电价从指导价上调至燃煤标杆电价，直接推升项目收益率，刺激光伏项目加快开发进度。全球迈入低碳发展时代，十四五央企新能源开发
。除了用于PERC电池的正背面钝化沉积设备、扩散退火炉、激光掺杂机、激光开槽机、激光无损划裂机等，大族光伏装备不断集合创新技术、高起点地研发TOPCon、HJT等新型电池量产装备，携手核心客户共同发展，迈向新征程，未来致力于为客户提供更有竞争力的电池整线加工解决方案和综合服务。
，也就是多晶硅的能级化方面做了贡献;第三次是激光切割。这三次变革都给技术发展带来了成本降低，从而可以看出光伏的本质是成本，降本增效一直都是行业发展的核心。目前的光伏市场上情况稍显复杂，随着 PERC
开路电压，从而提高电池片的转换效率，平均转换效率比PERC电池高出约1%。HJT电池片工艺主要是制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备四大步骤。
HJT目前规划产能达70GW，越来越多企业投身
数据来源：索比咨询整理
表：部分非晶硅薄膜沉积设备供应商
数据来源：索比咨询整理
表：部分TCO层沉积设备供应商
数据来源
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捷佳伟创
捷佳伟创是国内领先的晶体硅太阳能电池设备研发、生产和销售的国家高新技术企业。主要产品包括PECVD及扩散炉等半导体掺杂沉积工艺光伏设备、清洗、刻蚀、制绒等湿法工艺光伏设备以及自动化(配套)设备
with Intrinsic Thin Layer，也被称为HIT，中文名为本征薄膜异质结。HJT电池为对称双面电池结构，中间为N型晶体硅，然后在正面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜，形成P-N结。而硅
(Heterojunction，HJT)： 由两种不同的材料组成，即在晶硅和非晶硅薄膜之间形成PN 结，因此它兼具晶硅电池优异的光吸收性能和薄膜电池的钝化性能。具体是在 N 型晶 体硅片正反两面依次沉积厚度为
。大部分厂家在考虑技术升级，其中的一种升级方案，就是Topcon结构。 Topcon是一种钝化接触结构，基本原理是在N型硅片背面沉积一层很薄氧化硅，然后再沉积一层重掺杂的多晶硅薄膜，实现背面的钝化接触
、非晶硅薄膜沉积设备(PECVD或者Cat-CVD)、TCO膜沉积(PVD或者CVD)、丝印与烧结设备等，目前对应设备投入约4.5亿/GW。 值得注意的是，虽然某些工序/设备名称一样，但是实际区别较大，例如
、非晶硅薄膜沉积设备(PECVD或者Cat-CVD)、TCO膜沉积(PVD或者CVD)、丝印与烧结设备等，目前对应设备投入约4.5亿/GW。 值得注意的是，虽然某些工序/设备名称一样，但是实际区别较大
