激光硅沉积

。 HIT生产线核心设备有望近期实现国产化：HIT的4大工艺步骤制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备，对应的设备分别为清洗制绒设备、CVD设备(PECVD为主、HWCVD较少)、PVD/RPD设备
技术、一代工艺、一代设备，其中设备是核心瓶颈环节。 01 光伏设备分布 光伏设备行业在光伏产业链中赚取现金能力较强：光伏行业更新迭代速度很快，一般硅片、电池片、组件生产线的建设时预定的投资回收期

，与传统 P 型电池相比，N 型电池非晶硅与晶 体硅沉积环节对制程环境要求严格，同时磷扩散制程需要达到适合洁净度要求并有效的钝 化，生产工艺难度要求大幅提升，以现有 PERC 产线为基础，升级至 N

时会把石油推到表面。但其对侵蚀性的现实条件(沉积物的温度和硬度)非常敏感，会失去实验中的理想特性。 3.高精准智能压裂技术 近年来，水平井分段压裂呈现压裂段数越来越多、支撑剂和压裂液用量越来越大的
进展 澳大利亚国立大学(ANU)的科学家利用串联钙钛矿硅电池实现了17.6%的太阳能直接制氢效率。这种电池是将低成本的过氧化物材料层叠在传统的硅太阳能电池上。目前的共识是，利用低成本的半导体来实现

单晶替代多晶、P-PERC 替代常规单晶的技术迭代。其中常规单晶电池是铝背场电池，在硅片的背光面沉积一层铝膜;P-PERC 电池通过引入背钝化和开槽接触工艺，在电池背面形成背反射器，减少入射光损失
电池结构相比，HBC 电池前表面无电极遮挡，并且采用 SiNx减反层取代 TCO 薄膜。 HBC 电池工艺流程为：清洗制绒-正面沉积本征非晶硅薄膜-正面沉积减反射膜-背面沉积本征非晶硅薄膜-背面沉积

。其 PECVD 真空镀膜设备采用线性排布方式，通过 创新硅片传送方式以实现超大产能，可根据电源功率、气压、气体流量调节沉积成膜厚度。同时，迈为也在研发一种激光无损切割机，主要针对异质结电池，可将

，丝网印刷的方法，需在工艺重复可靠性和电池效率之间找到平衡点。 激光是解决丝网印刷局限性的一条途径。无论是间接刻蚀掩膜(利用激光的高能量使局部固体硅升华成为气相，从而使附着在该部分硅上的薄膜脱落)，还是

：PERC 技术在常规 BSF 电池基础上增加背面钝化层 沉积和激光开槽两道工序，此外，针对背部抛光需对基于化学湿台的边缘隔离步骤稍作调整，即可实现传统 BSF 电 池产线向 PERC 产线的升级
覆盖一层氮化硅膜作为保护层。为使背面金属电极与硅形成良好的欧姆接触，需要对钝化层进行刻蚀，目前主流工艺采用激光开槽的方式来完成这一工序。 PERC 技术日趋成熟

环境的影响，目前，其材料的气相沉积也使用到了激光加工技术。由此可见，激光加工技术已经成为生产硅太阳能电池的最可靠的工具。
光伏生产最重要的就是电池制造。硅电池在光伏发电中有重要作用，无论是晶硅电池还是薄膜硅电池。在晶硅电池中，由高纯度的单晶/多晶切成电池用的硅片，利用激光来精确地切割、成型、划线，制成电池后再组串

抛光⑤印刷氧化铝浆料/ 烧结⑥ PECVD 正面镀膜⑦ PECVD 背面镀膜⑧激光开槽⑨印刷烧结测试⑩电注入退火。相对黑硅多晶太阳电池的制备，增加了步骤④、⑤、⑦、⑧、⑩。 02结果讨论 2.1
，随着膜厚增加，样品的少子寿命退化，由此推测印刷氧化铝膜厚差异会影响少子寿命的稳定性。 2.3 黑硅PERC 多晶太阳电池的电性能分析 镀膜钝化后的硅片进行激光开槽，使用PERC 经印刷烧结

沉积设备(PECVD 设备或 ALD 设备)和激光开槽设备即 可。 PERC 核心产品为 PECVD 设备、丝网印刷等。其中，捷佳伟创的核心产品 PECVD 设备和扩散炉均为自主研发，采用的核心技术
钝化镀层与 钝化层激光开槽两道工序。其中背面钝化镀层包括氧化铝镀层与氮化硅镀层， 市场中存在两种技术路线，一是采用 PECVD+PECVD 两台设备，代表厂商为 捷佳伟创;二是用