激光硅沉积
效应降低表面少子浓度，从而降低表 面复合速率，同时降低串联电阻，提升电子传输能力。电池背表面为叉指状排列的 p+ emitter(p+发射极)和 n+BSF(n+背场区)。
其中，前者与 N 型硅
基底形成 P-N 结，有效分离载流子，是电池的核心结构;n+BSF 主 要是与n型硅基底形成高低结，诱导形成P-N结，进一步增强载流子的分离能力。此外，前后表面均采用SiO2/SiNx 叠层膜进行
： 掩模和CVD原位掺杂制备背面PN区 电池正面沉积本征非晶硅钝化层 PN区与基区之间沉积本征非晶硅钝化层 PN区与金属电极之间沉积TCO层 单面丝网印刷，无主栅或多主栅 兼容
，TOPCon电池也有比较高的呼声。
相比较而言，异质结电池有4道工艺(制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备，对应的设备分别为清洗制绒设备、PECVD设备、PVD/RPD设备、丝网印刷设备
，光伏组件设备业务是公司最为核心的业绩支撑，但是其毛利率不如光伏电池设备业务。
从产业链的角度，光伏行业大致可划分为上中下游三个大的环节，上游为晶体硅原料以及制成的单晶硅棒、多晶硅锭、单/多晶硅片，中游
巨大的 PERC 电池产能，TOPCon 和 PERC 电池技术和产线设备兼容性较强，以 PERC 产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的 LPCVD/PECVD 设备以及镀膜设备环节。目前
是隆基股份布局;
3) 方法三：原位掺杂。PECVD 制备多晶硅膜并原位掺杂工艺。该方法沉积速度快，沉积温度低，还可以用 PECVD 制备多晶硅层，简化很多流程，实现大幅降本。气体爆膜现象已经得到解决
设备，是未来2-3年最具性价比的技术路线。TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节
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3)方法三：原位掺杂。PECVD制备多晶硅膜并原位掺杂工艺。该方法沉积速度快，沉积温度低，还可以用PECVD制备多晶硅层，简化很多流程，实现大幅降本。气体爆膜现象已经得到解决，稳定性有待
型技术产线建设。面对目前巨大的PERC电池产能，TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节
40%;
3)设备方面降本：目前单GW成本低于4亿元，未来仍有40%降本空间。HJT制作工艺流程大幅简化，制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO薄膜沉积、电极金属化四个步骤，分别对应制绒清洗、PECVD
研发功能也缩小了。之前该工厂从事相关工作的人员将改为从事该工厂化学气相沉积或半导体激光等领域的工作。
但二色浜工厂将继续诸如丰田普锐斯PHV 汽车所采用的特定用途太阳电池等此类面向特定顾客的太阳电池的
Frontier将强化发电站的设计、筹措、EPC和O&M事业等，谋求公司业务结构的转型。
Solar Frontier国富工厂
与市场上主流的硅晶体太阳能电池不同，Solar Frontier
PVSEC 光伏大会上德国 Fraunhofer太阳能研究所首次提出的一种新型钝化接触太阳能电池，首先在电池背面制备一层 1～2nm 的隧穿氧化层，然后再沉积一层掺杂多晶硅，二者共同形成了钝化接触结构，为
了无需开孔的钝化接触结构;
5.2 无需激光开孔，采用N型硅片无光致衰减，兼容中高温烧结;
5.3 主要提升的钝化是背面钝化，背面采用1-2nm的高质量SiOx层结合掺杂非晶硅进行高温晶化退火从而
，光伏电池巨头尚德也早在2005年上市后，布局新一代Pluto，也即通常业界所指的LDSE(激光沉积选择发射)技术，2008年金融危机后使得其失去了最初产业化和商业化的最佳战略机遇期亦颇为可惜，其他公司和行业
第一节 挪REC 一体化后力不继渐次折翅 流床法成就太阳硅业一哥
与其他多晶硅巨头如海姆洛克等传统主业是化学产业和半导体硅料不同，挪威再能公司(REC)定位就只是专注于太阳能光伏行业所需的太阳能
目前巨大的PERC电池产能，TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节。目前PERC电池产
本竞争力不足，核心因素在于两方面：
1) 设备投资额度大，国产化进行仍在路上。由于HJT与目前主流的PERC产线不兼容，因此非晶硅薄膜沉积和TCO膜沉积等核心设备需要重新购置，投资额度相对较大，但
