激光硅沉积

未来发展的趋势。目前，多晶硅薄膜常用的制备方法有等离子体增强化学气相沉积，热丝化学气相沉积，准分子激光晶化，固相晶化，快速热处理等。现有研究采用真空蒸镀法制备非晶薄膜后经铝诱导晶化得到多晶硅薄膜。相比

晶硅电池在过去20年里有了很大发展，许多新技术的采用和引入使太阳电池效率有了很大提高。在早期的硅电池研究中，人们探索各种各样的电池结构和技术来改进电池性能，如背表面场，浅结，绒面，氧化膜钝化，Ti
／Pd金属化电极和减反射膜等。后来的高效电池是在这些早期实验和理论基础上的发展起来的。 　　单晶硅高效电池 　　单晶硅高效电池的典型代表是斯但福大学的背面点接触电池（PCC），新南威尔士大学

有倒金字塔织构化结构，2cmX2cm电池效率达到了19.8％，大面（5cmX5cm）激光刻槽埋栅电池效率达到了18.6％。多晶硅高效光伏电池多晶硅太阳能光伏电池的出现主要是为了降低成本，其优点是能直接

采用了激光掺杂选择性发射极技术，并使用铜代替银作为正面电极材料，这一改变使电池成本降低了约30%. 据称，现代团队的关键改进在于调整了正面氮化硅的沉积参数，解决了镀铜工艺的一些难题。现代重工绿色能源

机，硅片自动分选机等关键光伏生产设备。支持多槽制绒清洗设备、全自动平板式等离子体增强化学汽相沉积（PECVD）、激光刻蚀机、干法刻蚀机、离子注入机、全自动印刷机、快速烧结炉等晶硅太阳能光伏电池片生产线设备和PECVD等薄膜太阳能光伏电池生产设备。促进光伏生产装备的低能耗、高效率、自动化和生产工艺一体化。

、低能耗、全自动单晶炉，吨级多晶硅铸锭炉，大尺寸、超薄硅片多线切割机，硅片自动分选机等关键生产设备。支持多槽制绒清洗设备、全自动平板式等离子体增强化学汽相沉积（PECVD）、激光刻蚀机、干法刻蚀机

，CIGS光伏组件制造商将采取新的战略以避免光伏组件价格持续下跌对他们造成的冲击。为了迎接低成本晶体硅（C-Si）太阳能光伏组件的挑战，CIGS还需继续改善每瓦特的成本价格。NanoMarkets期望
CIGS可以通过批量生产和提高生产效率来取得成功，如更薄的吸收层和积极回收材料。CIGS同样可以在美学和间接光性能方面与晶体硅组件媲美。NanoMarkets认为，降低柔性CIGS电池组件的封装成本是成败

碳纳米管（SWNTs）溶液作底层，再结合一种高弹性的聚酰亚胺聚合物作基底，基底用激光切成边长3.3毫米的六边形蜂巢图案，然后将硅和氧化铝层沉积到基底上，底板就做成了。研究人员表示，在电子设备中，要求开

的电子移动率，因而在高速数字集成电路上的应用比硅半导体优越，有望用于研制将光变成电或相反的设备，比如高端太阳能电池或激光器等。然而，它们无法与太阳能电池最常见的基座硅无缝整合在一起，因此，限制了它们的

，主要包括镓化砷、磷化铟和氮化镓等，其电子移动率远大于硅的电子移动率，因而在高速数字集成电路上的应用比硅半导体优越，有望用于研制将光变成电或相反的设备，比如高端太阳能电池或激光器等。然而，它们无法与