激光硅沉积

状态，印刷时浆料受到很大的挤压，剪切变稀，流动性增强，从而通过丝网后沉积在硅片上，此时浆料不再受力，浆料有回弹至其初始结构的趋势。整个过程在1s内完成，浆料的黏度参数和触变指数往往不能和浆料的丝网印刷
，具有不同成分结构的浆料，下降的程度用相位角表示，如图2所示。在OA-III阶段，将所施加的扭力突然撤去，仅施加23.0~21.0Pa的较小幅度扰动，模拟印刷后浆料从网孔释放出来沉积在硅片上的状态

平滑表面的沉积效果最佳。由于电池背面并不主动参与光的吸收，也不直接捕捉光子，所以去除背绒面不会造成损失。根据传统的扩散方法，硅片将单面或双面掺杂。一旦磷出现在背面，就必须被除去。 除非采用激光边缘隔离

太阳电池对杂质的容忍度要明显大于P型硅电池。但从P型电池工艺的丝网印刷来看，N型电池在转换效率上一些关键工艺还有待解决，而且制造成本也没有优势。 2)优化减反膜。 Kang研究发现，虽然采用沉积
摘要：随着晶硅太阳电池光电转换效率的提高，其光衰也随之提高，成为高效晶硅电池科技发展的瓶颈。本文介绍了近年来对掺硼晶硅太阳电池的光衰减问题及衰减机制，指出硼与间隙氧的存在是引起掺硼晶硅太阳电池光照

。所有这些工作都加快了PERC概念从实验室研究向大规模工业化生产高质量太阳能电池的转变速度。本文接下来将具体介绍，通过将少量额外工艺步骤--包括AI2O3/SiNx叠层在硅片背面的沉积以及通过脉冲激光开槽

后的电池片进行热处理，结果如表4 所示。表5 为相同退火时间、不同退火温度时的电池片电性能参数。 由表4 可以看出，制作PERC 电池时，在对硅片表面进行ALD 原子层沉积Al2O3 后，需要再对
内容摘要 介绍了一种通过调整背钝化工艺改善多晶硅背钝化电池缺陷的方法。采用背钝化新型电池片工艺，在正常生产过程中EL会呈现有规律的区域发暗，严重影响电池片性能。本文通过优化PECVD工艺时间和退火

，主要区别在于背表面沉积钝化层和激光开窗结构，就正面结构而言区别较小，PERC 太阳电池的烧结温度相对较低些，因此，有些常规太阳电池正面银浆可以兼容PERC 太阳电池。n 型晶体硅太阳电池，如IBC

TMA耗量的不同，如图5所示。 同时，为了避免后续金属化烧结过程铝浆对钝化膜的破坏，再要额外沉积一层100-150nm厚度的氮化硅，一方面可以保护氧化铝钝化膜，另外还可以提升背面减反效果。 图
5. PECVD和ALD不同模式TMA的耗量(数据来源Taiyang News 2017) PERC电池制作另一关键工序是激光开窗，通过激光热熔方法把背面需要形成铝硅合金接触的区域上面的氧化铝和

为《PERC双面组件特性与发展趋势》。白银先针对双面PERC电池的技术特点进行了解读，他表示，PERC技术基于现有产线，只增加沉积背面钝化层和背面激光开槽两道过程，而将全覆盖的背铝更改为局部铝栅线，便可获得双面
黑硅、PERC、异质结等技术相结合。沈文忠教授认为，分布式时代是高效产品的天下，而在工商业屋顶受限的情况下，户用屋顶光伏电站急需高效、不受太阳照射角度影响的新型组件。 沈教授的演讲干货十足，现场观众