激光硅沉积

为1，411.18万元。 资料显示，捷佳伟创是一家国内领先的从事晶体硅太阳能电池设备研发、生产和销售的国家高新技术企业。主营产品为PECVD及扩散炉等半导体掺杂沉积工艺光伏设备、清洗、刻蚀、制绒等
富技术(+1320 %至1557%)、茂硕电源(+537%至750%)、嘉寓股份(+543%至552 %)、东方日升(+280%至308%)等4家;超过100%的企业则再增加帝尔激光1家。 从业

万元。 资料显示，捷佳伟创是一家国内领先的从事晶体硅太阳能电池设备研发、生产和销售的国家高新技术企业。主营产品为PECVD及扩散炉等半导体掺杂沉积工艺光伏设备、清洗、刻蚀、制绒等湿法工艺光伏设备以及
技术(+1320%至1557%)、茂硕电源(+537%至750%)、嘉寓股份(+543%至552%)、东方日升(+280%至308%)等4家;超过100%的企业则再增加帝尔激光1家。 从业绩净利亏损

湿法氧化出一层1.4 nm左右的极薄氧化硅层，并利用PECVD在氧化层表面沉积一层20 nm厚的磷掺杂的微晶非晶混合Si薄膜。钝化性能需通过后续退火过程激活，Si薄膜在该退火过程中结晶性发生变化，由微晶
本文摘要 在晶体硅太阳能电池中，金属-半导体接触区域存在严重的复合，成为制约晶体硅太阳能电池效率发展的重要因素。隧穿氧化层钝化金属接触结构由一层超薄的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层组成，可以显著降低金属

多晶硅中的寄生吸收，避免金属指状物对正面的遮蔽。 n +型和P+型多晶硅由一块内置多晶硅区域彼此分离，该区域使用实验室工艺进行处理。ISFH指出介质背面反射激光消融，类似于目前的生产技术。 创下记录

使用热生长在硅片两面得到2.2nm氧化层，LPCVD沉积本征多晶硅 使用硼离子注入将背面的多晶硅掺杂为p型 背面使用光刻技术开孔，留光刻胶作为阻隔层，两面离子注入进行磷掺杂，背面得到交错的p和n掺杂

激光椭偏仪;氮化硅减反膜薄膜沉积后样品的反射率测试采用R9000-2DMA 全自动D8 积分式反射仪;多晶硅太阳电池的电性能测量采用Halm 测试机;多晶硅光伏组件的电性能测试采用PASAN 功率

接触的太阳电池结构，它的p-n结位于电池背面，电流属于二维传输模型。MWT、EWT也属于背接触太阳电池，但因其p-n结位于电池正面，故称之为前结背接触太阳电池。 IBC电池的结构如图1，一般以n型硅
。 IBC电池的结构如图1，一般以n型硅作为基底，前表面是n+的前场区FSF，背表面为叉指状排列的p+发射极Emitter和n+背场BSF。前后表面均采用SiO2/SiNx叠层膜作为钝化层。正面

刻蚀和边缘隔离、背面沉积氧化铝、双面沉积氮化硅、背面钝化激光开槽、丝网印刷、烧结、分选。 其大部分工艺与常规铝背场工艺相同，新增背面钝化镀层与激光开槽两道工序。 目前PERC电池片

沉积背面钝化叠层设备和激光开槽形成背接触的设备。 PERC产业化进程。1989年由澳洲新南威尔士大学的MartinGreen研究组首次正式报道了PERC电池结构，当时达到22.8%的实验室电池效率
。2006年，随着沉积AlOx产业化制备技术和设备的成熟，加上激光技术的引入，PERC技术开始逐步走向产业化。2013年前后，开始有厂家导入PERC电池生产线。2015年，PERC电池开启市场化进程

，这会弱化其本身的机械性能，在电站应用过程中增加隐裂、碎片的概率，严重影响组件的可靠性;而N型电池目前的技术中都没有用到激光等工艺，不会对硅片造成额外损伤，而且两面都刷银浆，提高了电池的稳定性。 (2
，归根结底在于PERC更低的成本带来的价格优势。据了解，PERC双面组件只需基于现有产线增加沉积背钝化层和背面激光开槽两道工序，几乎不增加额外成本。因此未来N型双面技术如何实现有效降本，将成为其提升市场竞争力