激光硅沉积
;另一方面，PERC产线升级方便，投资成本较低：PERC电池产线只需在铝背场电池产线的基础上新增两类设备，即沉积背面钝化叠层设备和激光开槽形成背接触的设备。
PERC产业化进程。1989年由澳洲新南
威尔士大学的MartinGreen研究组首次正式报道了PERC电池结构，当时达到22.8%的实验室电池效率。2006年，随着沉积AlOx产业化制备技术和设备的成熟，加上激光技术的引入，PERC技术开始逐步
5-10%，以建立电池硅基与金属铝的接触通道。此外，对于采用激光边缘隔离处理工艺的生产线，需要增加一个化学湿式工作台进行背面抛光，但由于该激光边缘隔离处理工艺应用较少，且优化该工序不涉及设备新增，故
双面TOPCon电池 集成了以下核心电池技术 (1)离子注入掺杂多晶硅钝化技术;采用低压化学气相沉积法在基体硅表面依次形成隧穿氧化层和非晶硅层，通过离子注入精确控制掺杂原子的剂量和在多晶硅中的分布
工艺流程新增了两个重要工序。因此，钝化膜沉积设备和开槽设备(可采用激光或化学刻蚀方法)是需要在传统电池产线上额外增加的加工设备。
我国光伏电池制造设备企业已具备了成套工艺流程设备的供应
来源得到扩充的可能性。
制造产业链方面，整体集中度提升、高效化进程提速趋势明确，优势环节中的优势企业将获得超额利润空间，重点看好低成本硅料、高效电池、单晶硅片、光伏玻璃，并关注电池设备国产化
GW。 PERC工艺(通过2个生产系统完成升级)： 完整的PERC生产线 A：硅片检测;B：损伤层去除/制绒;C：扩散;D：去PSG(磷硅玻璃);E：MAiA背面沉积;F：SiNA正面沉积
提速。
2006年，用于对P型PERC电池的背面的钝化的AlOx介质膜的钝化作用引起重视，使得PERC电池的产业化成为可能。随后随着沉积AlOx产业化制备技术和设备的成熟，加上激光技术的引入
，PERC技术开始逐步走向产业化。
PERC电池产线的升级仅需在现有产线的基础上增加背面钝化镀层与激光开槽两道工序，就能在P型单晶硅上实现1%的效率提升，在多晶硅上实现0.6%的效率提升。2018年
台设备中可以同时完成氧化铝和氮化硅双层膜的沉积，ALD的优势是TMA耗量少、钝化质量高，缺点是必须搭配PECVD设备同时使用，氧化铝和氮化硅需要分别沉积。 激光开槽设备方面，基本上是武汉帝尔激光
POCl3扩散以形成n+-Si发射极。然后在下一步移除磷硅酸盐玻璃(PSG)和清除电池背面。 图一：分别展示了传统多晶硅电池(左)和CSI的高效多晶硅PERC电池(右)的工艺流程。 使用原子层沉积
，Sunpower研发的第三代IBC电池最高效率已经达到25%。应用层选择性激光工艺来制造POLO-IBC电池，功率转换效率已经达到26.1%，这是P型晶体硅太阳能电池的世界纪录效率。
2.产业趋势
新技术来降低单晶硅的生产成本。
HIT电池今后努力的方向：研制低电阻低温浆料，优化沉积工艺，改善钝化层性能，寻求光透过率高及导电性好的发射层取代材料等。同时，精简工艺流程，尝试新型组件结构，进一步降低
