激光器
接触式加工(对减少晶片损伤非常重要)首 先利用口开关三倍频355nmNd:YVO4激光器在晶体硅晶片背面的氮化硅或者氧化硅薄层中烧蚀出呈指状交叉的发射区和基区图形。晶片的任何损伤都会缩 短载流子的寿命
日本独立行政法人物质材料研究机构（NIMS）试制成功了使用能够透过可视光的氮化硼（BN）的太阳能电池。BN作为有望实现紫外激光器和透明晶体管等的宽禁带（Band gap）半导体材料而备受期待，不过
的最高速度可以达到光速的2%(6000公里/秒)，果真如此，星际航行将成为可能。届时，给这种宇宙飞船提供动力的将不是太阳，而是安装在卫星上的功率巨大的激光器。太阳帆的另一个优势是，它不需要燃料，也没有
、高纯硅提纯加工基地，为低成本获取光电产业所需多晶硅原材料提供了充足的资源储备。该公司研制出的光电子|激光器件硅材料（太阳能级高纯度硅）物理提纯技术，达到太阳能级高纯硅的要求，填补国内空白，其生
绿光LED和蓝色激光器。 编者按：最近连续收到有关Veeco在中国以及中国台湾的订单消息。比如说此处的M-Com以及附记中的GPI；国内中小型LED制造商也纷纷出炉。目前大格局已定(无论是厂商的
中科院知识创新工程重要方向项目“氮化镓基激光器(KGCX2-SW-115)”于11月26日通过专家验收。 氮化镓基半导体材料是继硅和砷化镓基材料后的新一代半导体材料
，被称为第三代半导体材料，它具有宽的带隙，优异的物理性能和化学性能，在光电子领域具有广泛的应用前景和研究价值。用氮化镓基半导体材料研制成的氮化镓基激光器在国防安全领域和光信息存储、激光全色显示、激光打印
晶圆上涂布非离子类水溶性涂剂，以防止切割时产生的碎屑附着在元件上。（2）小损伤切割工序：使用高功率紫外线脉冲激光器（波长355nm）高速切割晶圆和DAF（Die Attach Film），以此来抑制
能量不足以使表面温度升至熔点,则薄膜不发生晶化。一般情况下,能量密度增大，晶粒增大，薄膜的迁移率相应增大，当Si膜接近全部熔化时，晶粒最大。但能量受激光器的限制，不能无限增大，太大的能量密度反而令迁移率
测量原理
①直径弦度、高度测量部分
分别由两套激光扫描系统所组成,即高度激光扫描系统和直径弦度激光扫描系统。每套扫描系统分别 由直线电机及电机驱动控制电路、半导体激光器
、激光检测传感器和设定比较器电路所组成。
②激光扫描系统与检测系统
激光扫描采用半导体激光器供电电压为3V，我们采用5V直流电压供电。检测采用小型3DU光电三极管作为光电检测，为了提高
