清洗方法

重要方法。在真空状态下给气体施加电场，气体在电场提供的能量下会有气态转变为等离子体状态。其中含有大量的电子、离子、光子和各类自由基等活性粒子。等离子体是部份离子化的气体，与普通气体相比，主要性质发生
而和a-Si:H薄膜中的缺陷态相互作用，这样构成了载流子的复合通道。可以使用多形硅来作为钝化层，因为它具有更低的缺陷态密度和暗电流。光陷结构和表面清洗将制绒后的织构表面层使用硫酸和双氧水进行氧化，然后

沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径0.4m颗粒，利用兆声波可去除0.2m颗粒。C.金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：a.一类是沾污

专利９项。其中，报告期内获得国家发明专利三项，分别为：一种晶体硅太阳能电池选择性发射区的制备方法，太阳能电池硅片清洗剂及其使用方法，一种用于制备单晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法；这些发明专利的取得

原料的循环利用、大大降低了生产成本（针对单次转化率低）。因此，改良西门子法又被称为闭环西门子法。改良西门子法一直是多晶硅生产最主要的工艺方法，目前全世界有超过85%的多晶硅是采用改良西门子法生产的
级）的产量迅速上升并大大超过了电子级多晶硅，改良西门法也成为太阳能级多晶硅最主要的生产方法。2.改良西门子法生产多晶硅的工艺流程 （改良西门子法工艺流程示意图）改良西门子法是一种化学方法，首先利用

有别于改良西门子法和硅烷法的化学方法，冶金法是利用物理方法生产太阳能级多晶硅，其典型工艺是将纯度好的冶金硅进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭的外表部分和金属杂质聚集的部分后，将硅锭粗粉碎并清洗，并在

提纯方法主要有西门子法(气相沉淀反应法)、甲硅烷热分解法、流态化床法，而物理提纯方法主要有区域熔化提纯法(FZ)、直拉单晶法(CZ)、定向凝固多晶硅锭法(铸造法)。图1是西门子公司的代表在2008年
氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。以前只有日本小松掌握此技术，由于发生过严重的爆炸事故后，没有继续扩大生产。但美国

切割切割线是在保持速度的前提下提高机台产量的一个创新方法。应用材料公司最新的MaxEdge 系统(图三 3)采用了独特的两组独立控制的切割组件。MaxEdge是业界第一个专门设计使用细切割线的线锯系统
成本为55美元/公斤。前面已经谈到，维护方便与否对总体生产力有着很大的影响。MaxEdge 系统的机械布局在设计上考虑到了维护的方便，使切割线替换和研磨浆喷头清洗等普通维护工作能够非常容易和快速地进行

方法制取。然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。以前只有日本小松掌握此技术，由于发生过严重的爆炸事故后，没有继续扩大生产。但美国Asimi和SGS公司仍采用硅烷气热分解生产纯度较高
新工艺技术除了上述改良西门子法、硅烷热分解法、流化床反应炉法三种方法生产电子级与太阳能级多晶硅以外，还涌现出几种专门生产太阳能级多晶硅新工艺技术。1)冶金法生产太阳能级多晶硅据资料报导日本川崎制铁公司采用

自然光线。通过表面印刷，该材料的半透明度可进一步降低到50%；（4）特有抗粘着表面使其具有高抗污，易清洗的特点，通常雨水即可清除主要污垢；（5）ETFE膜达到B1、DIN4102防火等级标准，燃烧时也
处理、火焰处理、机械磨砂等表面处理等方法相比,等离子体处理是唯一的可行办法。同时朝向大气的一面不被处理，保留其强疏水性，这样落下的雨滴在表面停留不住，很快滚落下去，不会在表面留下水痕。同时由于从大气中

清洗方法清洗，然后用酸(或堿)溶液将硅片表面切割损伤层除去30-50um。(3)制备绒面：用堿溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。(4)磷扩散：采用涂布源(或液态源，或固态氮化磷片状源)进行