涂布工艺

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上海电气国轩储能系统基地5Gwh电芯产线项目招标公告来源:索比光伏网 发布时间:2019-03-19 08:51:14

02包 正极涂布系统 150m/min 负极涂布系统 150m/min 03包 正极辊压分切 150m/min 负极辊压分切 150m/min 04包 制片卷绕A 50PPM 制片卷绕B
48PPM 化成后真空箱 48PPM 08包 一次注液 51PPM 二次注液 51PPM 电池清洗机 45PPM 09包 化成系统 工艺时间下48PPM 分容系统 工艺时间下50PPM △V系统

组件成本将低至1元/W!协鑫钙钛矿组件试产成功来源:索比光伏网 发布时间:2019-02-27 21:27:27

。一个由60片硅片构成的晶硅组件消耗硅材料约1公斤,而相同尺寸的钙钛矿组件仅消耗2克钙钛矿材料。 由于钙钛矿材料可以溶解在普通溶剂之中,钙钛矿组件可以通过溶液涂布工艺生产,整个生产工艺流程温度不超过

赛伍百科 — 高粘PU胶保护膜(触控应用)解决方案来源:赛伍Cybrid 发布时间:2018-10-11 11:53:39

,市场上很多客户提出了更高粘性的PU保护膜的需求。 目前低粘PU保护膜(0-3g)占PU保护膜市场的主导地位 高粘PU保护膜(10g以上)品能够开发稳定的厂商极少 主要原因在于大多数涂布
,对合成工艺路线进行了反复摸索,最终成功开发了高粘PU母胶。 赛伍2017年开发成功的粘性20-30g的高粘PU保护膜产品成功替代了某日系亚克力保护膜,目前被广泛应用于华为、OPPO、VIVO全面屏

CIGS-CIGS薄膜太阳能电池简介及CIGS薄膜电池制备技术方法来源:电子发烧友网 发布时间:2018-09-18 11:26:46

级(几种薄膜太阳能材料中较 高的)。禁带宽度在室温时是 1. 04eV,电子迁移率和空穴迁移 率分别为 3.2102(cm2/VS) 和 110 (cm2/VS)。现在真 空工艺制备的收层薄膜
电极 Mo 和上电极 n-Zn0 一般采用磁控溅射的方法,工艺路线比较成熟。最关键的吸收层的制备有许多不同的方法,这些沉积制备方法包括: 蒸发法、 溅射后硒化法、 电化学沉积法、 喷涂热解法和

电联技术铸造智能制造新升级“基石”来源:新华网 发布时间:2018-08-17 10:30:11

动力电池生产商而言,这意味着更严格的工艺稳定性、更可靠的设备和更透明的生产数据要求。 在工艺稳定性基础上的高效率,是众多锂电生产设备必须首先考虑的。以涂布为例,与传统消费电子电池不同,动力电池是连续

走进张北风光储输示范工程来源:科技日报 发布时间:2018-08-08 11:03:19

单位,共同组建了储能用低成本钛酸锂电池研制及系统集成技术开发与应用项目组。经过多年研究,项目组针对储能应用需求,在原有钛酸锂电池的基础上提出了满足储能应用需求的钛酸锂电池材料体系及生产工艺重构原则与
。 因此,钛酸锂电池要实现大规模储能应用,需要在现有的电动汽车用钛酸锂电池的基础上进行技术重构,包括材料体系、电池设计、生产工艺等方面的技术重构,在保证钛酸锂电池长寿命本征特性的同时,大幅降低成本

解疑 | 光伏组件的最大输出功率都受哪些因素的影响?来源:光伏领跑者创新论坛 发布时间:2018-07-27 10:46:07

主要原因有两类: 1)电池本身老化造成的衰减,主要受电池类型和电池生产工艺影响。 2)封装材料老化造成的衰减,主要受组件生产工艺、封装材料以及使用地的环境影响。紫外线照射是导致主材性能退化的重要原因
精密涂布技术(如磁控喷溅法、双面浸泡法等技术),在玻璃表面涂布一层含纳米材料的薄膜,这种镀膜玻璃不仅可以显著增加面板玻璃的透光率2%以上,还可以显著减少光线反射,而且还有自洁功能,可以减少雨水、灰尘等

苏州纳米所在薄膜光伏界面材料研究中取得进展来源:中国科学院网站 发布时间:2018-07-26 15:20:06

发展低成本、连续卷轴印刷工艺。对于印刷薄膜光伏而言,可印刷界面材料是实现高效印刷光伏的关键材料之一。 在有机太阳能电池中常用的溶液法界面材料为金属氧化物纳米材料和聚合物/小分子类有机界面层材料。这两类
器件性能与界面层厚度之间的依赖性,这将有助于降低印刷工艺的难度,提高工艺的重复性和电池良品率。相关工作结果发表于ACS Appl. Mater. Interfaces 2015, 7

中来股份荣获由教育部颁发的科学技术进步二等奖来源:索比光伏网 发布时间:2018-04-26 15:22:47

、高性能浸渍涂布工艺机理建模与CFD优化设计技术、基于虚拟仿真的高精密模块化浸渍涂布装备协同设计、 太阳能背膜协同生产智能管控技术四项协同制造技术,这也标志着中来股份自主研发的FFC双面涂覆背膜成套技术

在纸张和PET上“印刷”多晶硅,工艺温度低于150℃来源:日经BP社 发布时间:2018-02-02 14:11:25

半导体和氧化物半导体,不过多晶硅也一直在参与竞争。此次开发的印刷方法是:(1)在没有氧气和水分的环境下,将硅墨水涂布到加热至80℃的基板上,硅墨水是将环戊硅烷(CPS,氢键合在硅的5节环上而形成)溶解在
形成过程在内的工艺温度不会超过150℃。在按照这种方法制作的TFT中,只照射一次较高能量激光制作的NMOS的载流子迁移率为2.6cm2/Vs、PMOS的载流子迁移率为3.9cm2/Vs。通过反复照射多次