栅线
SCHMID将在德国光伏展（A.03厅，B06展位）展示多主栅组件原型。预计2013年该设备将正式销售。 图1：电子显微镜下扫描的多主栅电池有别于传统电池的三主栅线设计，创新性的电池结构可以将
UL 1703安全和性能标准。美国富力光伏与栅线部门总监Michelle Ostiguy表示：背板是安全高效太阳能组件设计的关键部分。Spire的客户坚信他们正开发的使用该物料清单的组件经过了UL认证
讨论对采用该专利相应电极构造的企业采取警告等措施。不过，目前还未具体确定将要警告的企业。另外，该公司还在海外申请了该专利。三栅电极构造是指在结晶硅型太阳能电池单元的表面形成3条主栅线（bus bar
，创下当时的一个记录，理论上这种技术可以达到25%的综合效率。这种电池技术将主栅线从传统的正面转移至背面，正面只保留细金属栅线，因此降低表面栅线遮挡损失，因此又被称作背电极电池。在单晶电池方面，ECN的
寿命）、背面点接触（减少与硅基接触，降低复合速率）这些，都是已经运用非常广的技术。③ 真空蒸镀栅线后再加以电镀，提升均匀性及高宽比。Pluto的栅线相比普通的丝网印刷栅线要窄：丝网印刷栅线的高宽比典型
速率，延长少子寿命)、背面点接触(减少与硅基接触，降低复合速率)这些，都是已经运用非常广的技术。③ 真空蒸镀栅线后再加以电镀，提升均匀性及高宽比。Pluto的栅线相比普通的丝网印刷栅线要窄：丝网印刷栅
28%。只有尽量减少损失才能开发出效率足够高的太阳能电池。影响晶体硅太阳能电池转换效率的原因主要来自两个方面，如图1所示：(1)光学损失，包括电池前表面反射损失、接触栅线的阴影损失以及长波段的非吸收
损失。(2)电学损失，它包括半导体表面及体内的光生载流子复合、半导体和金属栅线的接触电阻，以及金属和半导体的接触电阻等的损失。这其中最关键的是降低光生载流子的复合，它直接影响太阳能电池的开路电压。光生
表面点接触栅极的作用。如图所示，发射结扩散后，用激光在前面刻出20m宽、40m深的沟槽，将槽清洗后进行浓磷扩散，然后槽内镀出金属电极。电极位于电池内部，减少了栅线的遮蔽面积，使电池效率达到19.6%。与
索比光伏网讯:LGBC电池是有激光刻槽埋栅电极 (Laser groove bury contact) 工艺电池的简称。由UNSW开发的技术，是利用激光技术在硅表面上刻槽，然后埋入金属，以起到前
开发出效率足够高的太阳能电池。影响晶体硅太阳能电池转换效率的原因主要来自两个方面，如图1所示：(1)光学损失，包括电池前表面反射损失、接触栅线的阴影损失以及长波段的非吸收损失。(2)电学损失，它包括半导体
表面及体内的光生载流子复合、半导体和金属栅线的接触电阻，以及金属和半导体的接触电阻等的损失。这其中最关键的是降低光生载流子的复合，它直接影响太阳能电池的开路电压。光生载流子的复合主要是由于高浓度的
结构采用不同的技术途径解决了电池的栅线细化、选择性扩散、表面钝化等问题，可以将电池产业化效率提升2～3个百分点。为了进一步降低成本、提高效率，各国光伏研究机构和生产商不断改善现有技术，开发新技术。他们
。仅靠工艺水平的改进对电池效率的提升空间已经越来越有限，电池效率的进一步提升将依赖新结构、新工艺的建立。具有产业化前景的新结构电池包括选择性发射极电池、异质结电池、背面主栅电池及N型电池等。这些电池
