栅线

太阳能电池...1、硅太阳能电池能量损失机理目前研究成果表面，影响晶体硅太阳能电池转换效率的原因主要来自两个方面：①光学损失.包括电池前表面反射损失、接触栅线的阴影损失以及长波段的非吸收损失，其中反射
和阴影损失是可以通过技术措施减小的，而长波非吸收损失与半导体性质有关；②电学损失.它包括半导体表面及体内的光生载流子复合、半导体和金属栅线的体电阻以及金属-半导体接触（欧姆接触）电阻损失

主要是指在印刷过程中出现的印刷不良片用酒精等将栅线擦拭干净后重新印刷的电池片。这些电池片如果没有处理好，可以看到如图6所示的形貌。在显微镜下观察可以看到还有部分浆料残留在硅片表面，IR图像显示有大面积

条和板刮供实验，印刷参数可根据需要调节。丝网印刷的原理是通过刮条挤压特定图形的丝网弹性形变后将浆料渗透在需要印刷的材料上的一种印刷方式。常见的正极图形由主栅线和副栅线组成，栅线的主要作用是收集电流，虚

开展双创活动提升企业的活力和竞争力，申请专利超过两千项，位居光伏行业首位。据了解，截至2015年年底，英利申请PCT国际专利13项，中国专利2006项，《一种太阳能电池栅线电极及太阳能电池片》等1512
太阳能电池及应用系统示范项目，该项目被认为是我国光伏制造业智能化发展的起跑线，拉开了中国光伏产业发展的序幕。多年来，英利坚持以创新促发展，走出了从引进消化吸收再创新到自主创新的发展道路。中国第一台线锯设备

效率、降低光伏发电成本，并通过开展双创活动提升企业的活力和竞争力，申请专利超过两千项，位居光伏行业首位。据了解，截至2015年年底，英利申请PCT国际专利13项，中国专利2006项，《一种太阳能电池栅线
示范项目年产3兆瓦多晶硅太阳能电池及应用系统示范项目，该项目被认为是我国光伏制造业智能化发展的起跑线，拉开了中国光伏产业发展的序幕。多年来，英利坚持以创新促发展，走出了从引进消化吸收再创新到自主创新的

技术和硅异质结技术(HIT/HJT)技术将逐步取代如今的传统铝背场(BSF)技术成为主流。此外，背接触电池(backcontact)由于能够省去表面的栅线电极而吸收更多的阳光，应用前景同样广阔。我国
左右，低价对国内多晶硅企业的冲击显而易见。因此国内厂商不得不降价以与进口多晶硅竞争固定的市场份额。如今120元/Kg左右的出厂价使得多数企业挣扎在盈亏平衡点附近，且已直逼国内一线企业的生产成本，形式

电池（backcontact）由于能够省去表面的栅线电极而吸收更多的阳光，应用前景同样广阔。我国电池片企业在电池技术的创新上任重而道远，盲目扩张产能而不注重研发投入的覆辙切不可再重蹈。　　图表43：光伏电池技术发展趋势预测

1839年人类首次发现光伏效应已来，各类半导体材料的使用（Se，Si，CdS，CdTe）、生长工艺的完善（如CZ直拉法、FZ浮区生长法）、制备技术的进步（减反膜、栅线电极、选区发射等技术的应用）使得