极

表现，从而影响其使用时间。 研究人员向电池的电解液内加入了磷及硫等化学物质，同时克服了上述两项难题。该化学物将同电池内的锂金属电极发生反应，研究人员还为该电池电极涂覆了极薄的保护层。 该方法提升

高效电池的研发又达到了新的里程碑。 IBC电池出现于20世纪70年代，是最早研究的背结电池，将正负两极金属接触均移到电池片背面的技术，可使面朝太阳的电池片正面呈全黑色，完全看不到多数太阳电池正面呈现的
。Hi-MO2是基于单晶双面PERC技术开发的双面发电产品，PERC(钝化发射极及背接触)技术是晶硅太阳电池近年来最具性价比的效率提升手段，与常规电池产线兼容性高，并且产线改造投资成本低。PERC技术是未来3到5

极上使用钝化电子选择n +型多晶硅氧化(POLO)触点，在正接触极上使用孔选择P+型POLO触点。 POLO触点的高选择性是实现高效率的一个关键因素，背部叉指模式使用了这种触点，能够最大限度地减少
(BMWi)以及下萨克森州的资金支持。 POLO触点单晶硅太阳能电池，两极都在太阳能电池背面。前方图片是在一块硅片上加工的七个太阳能电池背部，后方图片是整个前部。

，前级升压采用双Boost功率模块，由2个IGBT和4个二极管组成，包含boost模块的开关器件和二极管外，还包含跨接二极管。电压为1200V，电流为50A，一个模块相当于8个分立器件。模块具有很高的

电压反向来进行，因此说它是一种半控型器件，它的开关容量大，能达到几万安培，耐压高，但驱动电路结构很复杂，器件的开关频率低，损耗也较大。第二代是GTR，是电流控制型双极双结电力电子器件，它具有开关损耗小
晶体管，它集中了GTR和MOSFET的优点，驱动电路简单和开关频率高，和MOSFET相似，输出电流大和GTR相似，第五代是加入SIC碳化硅材料的MOSFET和IGBT以及碳化硅肖特基二极管。 碳化硅

不低于19%和21%。 此前工信部发布的2017年我国光伏产业运行情况显示，P型单晶及多晶电池技术持续改进，常规产线平均转换效率分别达到20.5%和18.8%，采用钝化发射极背面接触技术(PERC

，并在每串中加上一个旁路二极管，通常有三处二极管来保证组件的输出功率。旁路二极管会在电池片收到遮挡且功率损失达到一定值(10%)的时候将本串电池片旁路掉，避免电池片的内部损耗即组件内部的短板效应，提高

。气相沉积技术，也就是热，压力和化学反应在特殊材料上形成极薄涂层的技术被用来同时制造电池和基片。 这支MIT团队说，让这项突破显得无比重要的是技术本身，而不是使用的材料。 这样制造出来的超轻柔性电池

挑战性的环境积极探索，建有试验电站，取得了很好的成果。已经解决极寒区冰冻挑战、污染水体高酸性挑战、近海盐雾腐蚀挑战、高台风区挑战，将漂浮电站的应用场景进一步拓宽。 当然，提高核心设备对漂浮电站水体的
成为光伏业发展的新风口和新的增长极。对此，李翔表示，阳光浮体将继续秉承让人人享用清洁电力的发展使命，研发更高效、应用范围更广的漂浮系统，继续引领全球漂浮式光伏电站发展。

选择性发射极(iveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合
磷硅玻璃层作为掺杂源进行激光扫描，形成重掺杂区。激光掺杂选择性发射极太阳电池生产线，工艺上只需增加激光掺杂一个步骤，从设备上来说，只需增加掺杂用激光设备，与常规产线的工艺及设备兼容性很高，是行业研究的