美国NanoMarkets,LC预测,2015年使用薄膜太阳能电池的太阳能发电系统(TFPV:thin-film photovoltaics)市场规模将达到72亿美元(英文发布资料)。目前的
市场规模约为10亿多美元。
NanoMarkets表示,TFPV市场高速增长的推动因素是薄膜太阳能电池的优势。其优势包括:成本低、重量轻以及可以将电池嵌入墙壁、屋顶及窗户等。为满足TFPV日益
日本产业技术综合研究所(简称产综研)与日本Tokki共同试制了底板尺寸为200mm×200mm的有机薄膜太阳能电池子模块(Sub-module),并在“第3届太阳光发电研究中心成果报告会”的展板会议
CuPc,n型半导体采用C60。在玻璃底板上依次形成ITO电极、CuPc、C60、LiF以及Al电极,利用干燥剂和玻璃进行封装。 试制中采用了制造簇集(Cluster)型有机EL显示器的装置。“我们发现
【日经BP社报道】 美国加州大学圣芭芭拉分校(UCSB)宣布,由该校物理学教授Alan J. Heeger等组成的研究小组“使有机薄膜太阳能电池的单元转换效率达到了全球最高——6.5%”。原来的
学院材料科学与工程系的李光熙教授联合进行。Heeger等研究小组在有机薄膜太阳能电池结构中,采用了“级联结构”。这一结构由2种不同特性的薄膜太阳能电池层叠而成,以此来有效利用太阳光的各种波长。 近来,级联
技术开发”等。 此次报告了这些研究开发项目的2006年度的成果。实用化加速技术方面的球状硅太阳能电池和微结晶串联(Tandem)薄膜太阳能电池等,未来技术方面的超薄型硅太阳能电池、有机/色素增感型
,近期汉磊磊晶产线顺利上轨道,业绩一路创新高,因此积极开拓新事业。汉磊昨天证实,日前已展开发展太阳能事业的评估,过去外售的测试、报废晶圆,也已停止出售,为的就是「要为新事业做准备」。至于要朝薄膜太阳能
电池或长晶发展,目前还在评估,但「评估过程不会拖太久」。
汉磊并非台湾内第一家跨足太阳能事业的专业磊晶厂,在汉磊之前,嘉晶(3016)便传出有意进军薄膜太阳能生产,但迟迟未见动作,不过股价已率先反应
替代产品,其中多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池是较好的选择。 制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法,包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺。多晶硅
,成为太阳能电池市场中的主要品种。 非晶硅薄膜太阳能电池于20世纪70年代中期开发成功,80年代其生产曾达到高潮,约占当时全球太阳能电池总量的20%左右,但由于非晶硅太阳能电池转化效率低于晶体硅
图3 碲化镉薄膜太阳能电池组件集成结构示意图
图4 碲化镉薄膜太阳能电池组件制备工艺流程
图
1. 集成技术 集成工艺对组件的转换效率具有决定性的影响。实现集成的刻划技术有机械刻划、激光刻划两种。机械刻划的刻划速度比激光
33%,并成功地采用了一种无定形有机材料代替电解液,从而使它的成本比一块差不多大的玻璃贵不了多少,使用起来也更加简便。可以预料,随着技术的进步和市场的拓展,光电池成本及售价将会大幅下降。表4为地面用光
采用该类电池的太阳能发电成 本可降至5~8美分/kWh.〔15〕.。光伏技术发展的另一特点是薄膜太阳能电池研究取得重大进展和各种新型太阳能电池的不断涌现。晶体硅太阳能电池转换效率虽高,但其成本难以大幅度
路线,而采用直接由原材料到太阳电他的工艺路线,即发展薄膜太阳电他的技术。
20世纪70年代开始,发展了许多制作薄膜太阳电他的新材料、CulnSe2、CdTe薄膜,晶体硅薄膜和有机半导体薄膜等
;(3)晶体硅薄膜的宽度至少是厚度的一倍;(4)少数载流子扩散长度至少是厚度的一倍;(5)衬底必须具有机械支撑能力;(6)良好的背电极;(7)背表面进行钝化;(8)良好的晶粒间界。
4.1 晶体硅
制成的,这种硅片由硅锭锯割而成,消耗的硅材料较多。因此,受硅材料价格持续上涨影响,单晶硅电池成本居高不下,阻碍了其大规模发展。为了节省高质量的硅材料,现在各国均在寻找单晶硅电池的替代产品,其中多晶硅薄膜太阳能
电池和非晶硅薄膜太阳能电池是较好的选择。 制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法,包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺。多晶硅薄膜电池由于所使用的硅材料