晶硅薄膜

优异的网版匹配性，卓越的适印性，可使多晶、单晶电池效率增加0.1%。Toshiba采用杜邦高性能聚合物重量更轻的屋顶环境解决方案晶科采用基于双层杜邦TM特能PVF薄膜的背板TPT，可实现严苛环境下25
TMSolamet技术在效率和功率输出方面的提升。TSEC专注于高性能的优质单晶和多晶硅太阳能电池及组件的制造，其中展出的单晶PERC组件，电池效率达到21.15%，组件功率输出高达305瓦（60片

转化效率高于多晶硅太阳能电池，通常高两个百分点左右。科工力量：多晶硅的主要用途有哪些?范斌：多晶硅就是用来做太阳能电池的，没有别的用途。科工力量：在光伏发电方面用的薄膜材料是多晶硅还是单晶硅?范斌：光伏发电方面用的

。钙钛矿材料不仅具有优异的光电性能，且原料丰富，成本低廉，其制造成本有望达到目前晶硅太阳能电池的1/3到1/5，显示出巨大的商业价值，也因此成为光伏界有史以来最大的一匹黑马。但此前主要的高效率单体钙钛矿
太阳能电池的制备方法都只适用于实验室的小面积测试，少数大面积钙钛矿太阳能电池组件的认证效率不超过12.1%。此次，杭州纤纳光电制备出大面积高质量的钙钛矿薄膜，产品级组件效率首次突破15%大关，且产品的

，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。1500V系统集中式逆变器经过前期的示范性应用，其稳定性和
低，转换效率高;并且可以适用于更薄的硅片，使得进一步较大幅度降低成本成为可能;3)黑硅电池组件，黑硅技术近期的进展可能归结于两个主要因素：第一，金刚线切割能够大幅度的降低多晶硅片成本，但传统的酸制绒

竞争。谁掌握了核心技术，谁就掌握了能源。中国的《太阳能光伏产业十二五发展规划》提出，将重点布局晶硅电池技术、薄膜电池技术及新型电池技术研发。到2015年，力争使单晶硅电池的产业化转化率达到21
%，多晶硅电池达到19%，非晶硅薄膜电池达到12%，碲化镉、铜铟镓硒薄膜电池实现产业化，初步实现用户侧并网光伏系统平价上网，公用电网侧并网光伏系统上网电价低于0.8元/度。第二，中国政府不遗余力地推动清洁能源

沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。1500V系统集中式逆变器经过前期的示范性应用，其稳定性和安全性已得到证实
高；并且可以适用于更薄的硅片，使得进一步较大幅度降低成本成为可能；3）黑硅电池组件，黑硅技术近期的进展可能归结于两个主要因素：第一，金刚线切割能够大幅度的降低多晶硅片成本，但传统的酸制绒导致电池效率降低

呈全黑色，完全看不到多数光伏电池正面呈现的金属线。这不仅为使用者带来更多有效发电面积，也有利于提升发电效率，外观上也更加美观。6)HIT硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和
一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。 1500V系统集中式逆变器经过前期的示范性应用，其稳定性和安全性已得到证实，2016年开始小批量应用，预计在

片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200
波段量子效率高，其电流温度系数略高;另一方面PERC电池的开路电压更高，电压温度系数(绝对值)更低。综合来看，PERC电池的功率温度系数(绝对值)低于多晶和常规单晶。 (3)初始光衰 晶硅组件都

世界记录。HIT太阳电池组件HIT（Heterojunction with intrinsic Thinlayer）硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂
种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。与常规晶体硅太阳电池组件相比，HIT太阳电池

Thinlayer）硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压
；另一方面PERC电池的开路电压更高，电压温度系数（绝对值）更低。综合来看，PERC电池的功率温度系数（绝对值）低于多晶和常规单晶。（3）初始光衰晶硅组件都存在光致衰减（LID）问题（从组件厂家的质保承诺来看