(利用阳光光子直接转换成电子)的成本越来越低,并且未来9年,光伏市场年增长率有望46%。我们公司CSP将采用叠层非晶硅(a-Si/μ-Si)技术,a-Si/μ-Si技术的转换效率没有晶体硅产品高
定位相一致的,才是最明智的。 CSP强调利用最好的设备和技术迅速占领市场:ULVAC,非晶硅薄膜电池模组(叠层技术效率达%以上),其次在亚洲这一最富潜力的市场建立先发优势。 公司的使命是
多晶硅与微晶硅薄膜双节叠层太阳能电池。计划投资11亿元人民币,总建筑面积达25万平方米,规划入园生产企业10家,项目预计产值达30亿元。投产后,将可年产太阳能光伏电池30兆瓦,年产值达8亿元
21.8 单结太阳电池InP太阳电池 4cm2 19.9 单结太阳电池GaInP/GaAs 4cm2 26.9 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge
4cm2 25.5 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 27.0 单片叠层三结太阳电池聚光电池GaAs太阳电池 0.07 24.6
。 控制ZMR条件,可使再结晶硅膜中的腐蚀坑密度由1I07cm-2下降到1-2106cm-2,同时(100)晶相面积迅速增加到90%以上。为了满足光伏电池对层厚的要求,在ZMR层上用CVD法生长厚度为
包括:柔性衬底太阳能电池、聚光太阳能电池、HIT异质结太阳能电池、有机太阳能电池、纳米非晶硅太阳能电池、机械叠层太阳能电池、薄膜非晶硅/微晶硅叠层太阳能电池等。 技