晶棒
，钢线的密度为7.8kg/L，钢线的主要参数为钢线直径、钢线长度、拉伸强度、破断力、伸缩率等。在多线切割加工过程中，钢线作为实现对晶棒切割磨削的载体，通过高速运动，保证SIC磨料达到切削去除硅材料的
基本能量，SIC磨料在研磨去除中受到钢线压力，此压力来源于不断的进给运动，由于钢线的高速运动，带动磨料在钢丝和晶棒之间运动，实现对硅晶材料的切除，在此运动过程中，钢丝和被去除的硅材料相互都具有磨损，然而
，但是效率差距不大，而且多晶效率提升越来越接近单晶，关键是成本低性价比高。单晶与多晶的差异在硅片端，硅片端差异在长晶端，就是多晶铸锭和单晶拉晶棒工艺在单位产能与电耗的巨大差异。根据公开资料，单晶目前每
，提升单位重量的硅棒/硅锭的出片量，1kg准方锭的出片量由以前的48片提升到目前的62片，如果明年细线化更进一步推进，使用到50微米的金刚线，1kg单晶准方锭的出片量会更进一步提升至70片。韧、锋等
和先进金刚线厂家的数据，未来多晶硅片单张硅片线耗可降低至1.2米。但是即便如此，和单晶硅片的数据还是有一定差距，这种差距是从单晶棒/多晶锭他们生产出炉那时起就决定了的。通过上述数据，我们可以知道，由于
长晶环节的摊销降低这一概念的含义不太好理解，此处花一些时间更进一步地解释一下。单晶硅片与多晶硅片制造过程最根本的不同点在于长晶的过程，单晶为了保障内部晶格序列一致，往往是采用直拉单晶炉缓慢生长单晶硅棒
及绝热元件，炉壁（2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件（3）气氛压力控制：包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀（4）控制系统：包括侦测感应器及电脑控制系统工艺流程：加料熔化
表面，产生零位错的晶体。（4）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。（5）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负2mm
配比涂层时对纯水加热。原料的杂质浓度会影响铸锭炉的化料时间，铸锭炉在长晶等阶段出现异常，此时铸锭时间可能较一般工艺时间长2-4个小时，底部氮化硅的量太少会导致无法顺利脱模，硅锭底部开裂。而过量的氮化硅
会覆盖住石英砂，从而导致引晶效果不明显，因此要在铸锭中做出适当的调整。三、多晶硅工序1、备料对多晶硅的原硅料和回收料使用PN测试仪和电阻率进行分档分类，直到达到配比质量，最后计算出需要的掺杂剂质量
，内蒙古3GW单晶项目。
2017年，协鑫，参股中环股份在建的四期单晶硅棒项目。
显然，主流厂商不管嘴上怎么说，但纷纷向上游单晶硅片延伸的战略调整，都是实实在在对未来趋势的确认。
单晶竞争力提升
这种趋势背后，则是单晶产品的绝对竞争力。即使多晶应用金刚线后，也无法反转局面。具体体现在以下两个方面：
1)硅片环节——每片成本差距很小
单晶这两年的降本，并不全是靠金刚线，拉晶技术的显著升级
，单晶拉棒的单位硅锭耗电约为75KWh/Kg，单炉月产能约3吨，而多晶铸锭的单位耗电约为12KWh/Kg，单炉月产能约9吨。长晶环节差异是单晶、多晶产品成本差异的主要因素，而且拉棒工艺特征决定很难再降
等。多晶硅锭阴影大多出现在硅锭中心区硅棒底部，对多晶铸锭的得料率有较大影响。多晶硅锭中心区硅棒底部产生阴影有两种可能，一种可能是长晶过程中固液界面产生了较大的过冷度，产生晶粒尺寸小于1mm2的细晶区域
和切片两道工序。在切片端都推广金刚线切割后,性价比差异主要在长晶端。而多晶铸锭炉通过这几年的热场改造,单炉产量从350公斤提高到1200公斤,每台炉月产量达到9吨,未来还会升级至G8炉。而单晶拉棒在
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