晶棒

协鑫进一步注资，以发展新疆项目保利协鑫将投资于中环光伏四期单晶硅棒项目，并将持有项目公司部分股权;此外，视乎天津中环加工单晶硅芯片的产能需求，天津中环可能自保利协鑫收购目标硅片切割工厂的部分股权。 在
单晶产品也有两年多的时间。保利协鑫正在推进CCZ技术的产业化应用，将借助先进的单晶拉晶技术和差异化单晶产品，领军单晶硅片市场。 据管理层透露，目前保利协鑫已经掌握了FBR和CCZ技术所有的关键工艺

。据了解，2010年，保利协鑫能源在河南投产了单晶拉棒项目，2015年在宁夏又投产了1GW单晶项目，此后更有一系列的单晶项目落地。 其中，最为业界所关注的是，2017年8月，保利协鑫能源与单晶巨头
中环股份达成初步合作意向，拟在单晶用多晶硅料生产、单晶硅棒生产、单晶硅片加工、光伏电站开发等环节开展全面合作。根据当时协议，保利协鑫将投资中环光伏四期单晶硅棒项目，并将持有项目公司部分股权。 在此之前的

。 1.引言 在晶棒脱胶完毕后，或在分选硅片时，常会发现硅片胶面呈现边沿发亮，硅层呈线式脱落崩边的情况，其分布位置多为胶面倒角附近，有时也会产生在倒角中间位置。胶面崩边是一种较常见的硅片缺陷，其影响
因素有多种，本文主要从晶棒粘接、硅片切割和预清洗三方面进行了分析。 2.晶棒粘接影响 硅片切割前需要将托盘、玻璃、硅块、导向条等按照一定的流程粘接成晶棒，晶棒的粘接过程和原材料的使用都会对胶面崩边

，粘接工序在配块时存在很大困难。因此这部分长度较短的短块会单独粘接，进行切割。 2.小块切割现状 在硅块切割前，首先要将硅块、玻璃、托盘等粘接成晶棒。小块的粘接方式和步骤为： (1)准备好托盘和
为环氧树脂胶，A胶与B胶比例为1：1)，混合均匀后，将胶水涂抹在托盘上，使用刮胶铲将胶水刮均匀，然后将玻璃粘接在托盘上。 (3)选择要粘接的小块晶体硅块，对硅块进行分组，保证四条晶棒的小块总长度偏差

，转换成每瓦少耗电0.06度。 设备方面，目前市场上买不到直接可以用的铸锭单晶设备，需要自行改造;对铸造单晶晶棒少子寿命和缺陷检测需要投入少量新的设备，主要是增加端面少子寿命检测和位错检测以及晶花
市场放弃也势必有其不合时宜的原因。 万跃鹏认为当年铸造单晶没有规模化应用的原因主要有四点，一是当时的产品碱制绒后有较大比例的晶花，组件外观成为市场接受的主要障碍;二是由于铸锭技术中位错问题没有解决

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面前，封装所用的材料的成本是微不足道的，于是当时封装的解决方案是这样的： 阶段二：切掉一点点 随着硅料和长晶环节的优化，硅片电池片成本不断向下，这种大量留白、很没有效率的封装模式渐渐被热门抛弃。把
，硅料均价和长晶成本还在不断地下滑，尤其是近些年单晶炉引入连续加料的长晶技术、提升了长晶的速率、提升切片效率等等一系列的进步，允许我们采用更加奢侈的封装模式，于是单晶硅片的M2、M4等规格的硅片应运而生

、光衰以及三类片的分布等问题已经逐步解决，尾部低效的分布大量减少，高效分布比例可达70%以上。成功的关键在于采用了新的籽晶铺设方式以及独创的铺设晶向。近期杨德仁院士在报告中对技术进步给予了肯定
面积更大，相比直拉单晶电池片八角结构，正方形的铸锭单晶可以充分利用组件表面积，以158.75mm的硅片尺寸为例，比211圆棒，带倒角的158.75单晶硅片增加0.8%的受光面积，比156mm硅片大2

210mm提升到224.5mm。因此，为生产方形单晶会使得单张硅片的长晶成本提高12%左右。 假设A、B、C三个单晶硅片企业的传统单位kg单晶方棒长晶成本为30元、40元、50元，他们的绝对成本差距为10