晶圆技术

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APSTL宣布在晶体硅衬底上取得进展(图)来源: 发布时间:2008-12-01 17:14:59

衬底薄膜技术的空间效率高50%,表面更粗糙的面板。” 此外TCSS方法可以降低对厚硅晶圆以及昂贵的多晶硅生产设备的需求。硅晶圆具有晶体结构,可以获得约15-22%的转换效率,这一
μm。 他说,TCSS晶圆可以降低硅晶圆基的PV制造设备投入,使之可以与最新的薄膜技术相媲美。薄膜PV方法需要廉价的沉积工具,可以沉积多晶硅,或者Cd-Te、CdS、CIS和CIGS

台湾太阳能自主供应链基本成形来源: 发布时间:2008-11-27 14:52:59

多晶硅是传统太阳能产品最重要的原料,占生产成本的七成以上,由于多晶硅技术层次高、投资规模大,过去市场被Hemlock、MEMC、REC、日本德山化学等老字号业者掌握,台湾业者只能长期仰赖进口
站上国际一线大厂舞台,但放眼望去,台湾太阳能业在硅晶圆、电池、模块、系统端都已占有一席之地,却独缺多晶硅这一块。 随山阳具备多晶硅量产能力,把台湾太阳能业的最大缺口补上,过去料源长期仰赖外援的

SiGen和NorSun AS达成设备供应协议来源: 发布时间:2008-11-17 11:34:59

SiGen将向NorSun提供采用了PolyMax “无切痕”技术的高产量薄光伏晶圆制造设备工程衬底工艺与技术领域的领先者Silicon Genesis Corporation (SiGen) 今天

明年半导体设备支出减25% 看好太阳能设备市场来源: 发布时间:2008-11-17 09:35:59

投资先进技术开发;3是仍会选择性的积极进行策略性购并;4则保持一贯财务强度。应用材料表示,组织重整计划将从2009年第1会计年度开启,约将裁员1,800名员工。 Mike
Splinter表示,半导体晶圆市场能见度非常的有现,目前他预估,2009年支出将减少高于25%;显示器面板则因为终端消费者需求疲软、加上产能过剩,面板厂扩产更为保守,2009年支出将较2008年减少约40%,不过

世界薄膜太阳能电池领导厂商发展概况统计来源:Solarbe.com 发布时间:2008-11-12 13:25:25

在太阳光电热潮不退,而硅材缺料压力未解与薄膜技术发展潜力备受看好的态势下,全球已有百家以上厂商投入薄膜太阳能电池的研发制造,且数量还有增加的趋势。薄膜太阳能电池的市占率已从2006年的7.6%上升
到2007年的10.4%,一般认为至2010年应可达到20%。然而薄膜太阳能电池细分下又有不同的技术,各领导厂商间的发展亦互有差异。以下就各类薄膜技术的领导厂商之发展概况作一说明。 一、硅薄膜

薄膜太阳能电池领导厂商发展概况来源: 发布时间:2008-11-10 18:15:59

在太阳光电热潮不退,而硅材缺料压力未解与薄膜技术发展潜力备受看好的态势下,全球已有百家以上厂商投入薄膜太阳能电池的研发制造,且数量还有增加的趋势。薄膜太阳能电池的市占率已从2006年的7.6%上升
到2007年的10.4%,一般认为至2010年应可达到20%。然而薄膜太阳能电池细分下又有不同的技术,各领导厂商间的发展亦互有差异。以下就各类薄膜技术的领导厂商之发展概况作一说明。一、硅薄膜

Silicon Genesis公司开始生产150um无切损光伏硅片来源: 发布时间:2008-11-10 11:16:59

Genesis Corporation (SiGen) 是向半导体、显示器、光电子器件和太阳能市场提供工程衬底工艺技术的一家领先提供商。SiGen的技术用于生产“绝缘硅”(SOI) 半导体晶圆,以用于

Silicon Genesis公司新工厂开始生产150um无切损光伏硅片来源: 发布时间:2008-11-08 09:01:59

的一家领先提供商。SiGen的技术用于生产“绝缘硅”(SOI) 半导体晶圆,以用于高性能应用。SiGen通过薄膜工程来开发创新性的衬底,为其客户开辟新的应用和市场。在SiGen的客户和合作伙伴中
美国商业资讯2008年11月6日加州圣何塞消息—— 工程衬底硅片工艺技术领域的领先企业Silicon Genesis公司今天宣布,其新设立的太阳能开发与试验生产基地已开始生产

无锡尚德vs江西赛维:全球资源整合模式揭密来源: 发布时间:2008-11-07 15:58:59

切片工艺减少硅片厚度。其二,江西赛维独特的“废料回收技术”使其比竞争对手能够更高效地利用原材料。 江西赛维通过三种渠道确保其多晶硅供应:1)江西赛维原料主要为废弃晶圆、芯片等。在传统硅片生产过程
年在中国科学院上海光学精密机械研究所获硕士学位。1988年,施正荣留学澳大利亚新南威尔斯大学学习多晶硅薄膜太阳电池技术,师从国际太阳能电池权威、2002年诺贝尔环境奖得主马丁格林教授。 1991年

国内首台12英寸硅片清洗设备亮相工博会来源:SEMI 发布时间:2008-11-06 10:06:17

国内首台适用于65纳米技术节点的12英寸单片晶圆清洗设备Ultra C日前在上海工博会首次亮相,从而填补了国内半导体单片晶圆清洗设备制造的空白。 这台清洗设备是由落户上海张江高科技