晶体硅
近日，国家知识产权局公布第十九届中国专利奖获奖名单，天合光能有限公司的发明专利晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极及其制备方法(专利号：ZL201310440907.5)荣获中国专利优秀奖，天合光能已
情况，保护状况和管理情况，要求专利技术产品在国际上具有一定的影响力。
获奖专利首次提出了一种新型晶体硅太阳电池背接触电极的制备工艺，成功解决了背钝化电池局域背场的形成以及金属接触的关键技术难题，可显著提高
光伏幕墙通常是将光伏组件放在两层玻璃之间而形成的幕墙材料。除了发电特性外，与其他幕墙有着相同的建筑特性。
目前光伏幕墙有两种主要的技术模式。一种是晶体硅材料幕墙，一种是非晶硅材料幕墙。前者的
屋顶有更高的采光和美学标准，因此对原有的晶硅材料就提出了更高的透光要求。
相对于晶体硅幕墙，非晶硅目前虽然发展相对较晚，且光电转换效率低于晶体硅材料，但非晶硅幕墙所采用的光伏组件薄膜电池本身透光性较好
，从而引起组件输出功率下降，还有可能导致热斑。 6.组件温度特性 随着晶体硅电池温度的增加，开路电压减少，在20-100℃范围，大约每升高1℃每片电池的电压减少2mV；而电流随温度的增加略有上升
的高压开关柜、计量柜、直流屏、PT柜、10kV升压变压器;不包括晶体硅太阳能光伏组件)、建筑安装工程施工、工程质量及工期控制、工程管理、设备监造、培训、电网接入系统检测、调试、试运直至验收交付生产
。
上游晶体硅冶炼成型至硅棒或硅锭的行业是技术导向性的行业，虽然中国产能占全球总产能48.5%，但远远不足以满足需求，一直在外进口，截至如今进口量仍在增加，2017年1~9月份累计进口多晶硅
就会使得上游硅料需求减少4万吨以上，但短期来说，并不会有太大影响。
相比之下，硅片以及中游战况将会比较惨烈，随着技术的进步以及激烈的行业竞争，晶体硅电池片成品呈现一路往下的趋势，硅片、电池片、组件产量16
常规的晶体硅光伏组件，性能好、成本低，有较好经济性； 3）与建筑物功能无冲突，可与屋顶紧密结合，美观性较好。其它朝向（偏正南）屋顶的发电性能次之。 3.光伏采光顶： 1）以透明光伏电池作为
。 8 9 10 下一页 三、通威集团众所周知，多晶硅是整个晶体硅光伏产业链中技术壁垒最高、投入最大的一个环节，与光伏产业链其它制造环节相比，多晶硅制造的
，现在阳光房用户房顶多采用双玻透光组件。双玻组件即双面玻璃晶体硅太阳电池组件，作为一种新型建筑材料，它有着美观、透光可控、节能发电的优点。不仅能够美化建筑，还可以遮风挡雨。 它不仅颜值在线，更让你财富
正、负电极金属化栅线设计在太阳电池的背面。相较于传统的晶体硅太阳电池，IBC电池组件具有较高的输出电流、开路电压、填充因子等电性能优势，同面互联的组件工艺制程也简化了组件的互联工艺，配合上黑色背板
发展潜力的高效太阳电池技术。
天合光能副总裁、光伏科学与技术国家重点实验室主任冯志强博士表示：天合光能国家重点实验室始终致力于高性价比的晶体硅太阳电池技术的研发，通过我们技术工程师们的十年磨一剑
募集资金用于成都市双流区“年产3.2GW高效晶体硅太阳能电池项目”。通威股份表示，在实施农户等105MW屋顶光伏发电项目过程中，受到农户屋顶分散、资金回收风险较大等因素的影响，导致项目推进比较缓慢，当地
晶体硅太阳能电池项目”，其实施主体为通威太阳能（成都）有限公司，已于2011年4月1日在成都市双流区市场和质量监督管理局登记成立，注册资金1亿元。公司拟对该项目投资20.23亿元，其中固定资产投资18
