晶体硅

本文摘要 在晶体硅太阳能电池中，金属-半导体接触区域存在严重的复合，成为制约晶体硅太阳能电池效率发展的重要因素。隧穿氧化层钝化金属接触结构由一层超薄的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层组成，可以显著降低金属
的27.5%极限效率，同时也远远高于PERC电池(24.5%)，最接近晶体硅太阳能电池理论极限效率(29.43%)(详细介绍见下文)。 随着太阳能电池研究的不断进步与深入，多种不同结构的高效

，运输可以增加60-100%的成本。相比之下，根据用于晶体硅(c-Si)模块的回收技术，回收材料的价值估计仅为每吨45-130美元左右。BTI表示，正在进行各种尝试，特别是在欧盟和美国，以确保以具有

、负电极金属化栅线设计在太阳电池的背面。相较于传统的晶体硅太阳电池，IBC电池组件具有较高的输出电流、开路电压、填充因子等电性能优势，同面互联的组件工艺制程也简化了组件的互联工艺，配合上黑色背板，近似全黑的
技术。 天合光能副总裁、光伏科学与技术国家重点实验室主任冯志强博士表示：天合光能国家重点实验室始终致力于高性价比的晶体硅太阳电池技术的研发，通过我们技术工程师们的十年磨一剑，IBC电池技术取得了

，在复合损失和光学损失间寻找最佳的平衡点。 天合光能光伏科学与技术国家重点实验室一直以研发低成本高效率太阳电池技术与产品作为出发点，长期致力于开发可量产的高效晶体硅太阳电池技术。在2016取得IBC
，天合光能基于传统制备工艺的N型双面电池已达到22.6%的转换效率，在业界内处于领先水平。如今，这一高效IBC电池的问世，更是成为低成本单结晶体硅电池中的佼佼者。 这几年，国内天合、晶澳、海润等企业对

料、长晶、退火和冷却。即采用石墨加热器加热，使硅料达到熔点后，打开隔热笼，热量从底部散失，晶体硅在坩埚底部形核，通过控制液固界面的温度梯度，使晶体向上生长，形成多晶柱状晶。法国ECM公司设备结构如图2

层之后又重度扩散(局部或全部)和硅片极性相同的材料，形成又一个背电场。 异质结：电池里同时存在晶体和非晶体级别的硅;非晶体硅的出现更好地实现了钝化效果。 背电极：把正负电极都置于电池背面，不存在

评估技术规范》 《光储系统用功率转换设备技术规范》 《水上光伏系统用浮体技术要求和测试方法》 《高原光伏水泵提水系统》 《晶体硅太阳电池组件用聚烯烃弹性体(POE)封装绝缘胶膜》 《分布式光伏

(28.7%)最接近晶体硅太阳能电池理论极限效率(29.43%)。 可见，与PERC电池类似的是，TOPCon电池也在背面采用了钝化接触结构，增强了电池性能。而且在工艺方面，TOPCon电池以较小的

99.9%不是标准工艺要求吗?但若放在十年前，这是难以想象的，通过十年的努力，光伏材料的前辈才为我们铺好了如今的道路。 01、当年的EVA，多来自日本 众所周知，EVA热熔胶膜是封装晶体硅太阳电池
晶体硅太阳电池组件用前后EVA材料的不同要求和标准 自从用EVA热熔胶膜制作太阳电池组件以来，很长一段时间内，电池前后都是用同一种胶膜。这是为防止EVA胶膜和背板在阳光尤其是紫外光的作用下被分解老化

(28.7%)最接近晶体硅太阳能电池理论极限效率(29.43%)。 可见，与PERC电池类似的是，TOPCon电池也在背面采用了钝化接触结构，增强了电池性能。而且在工艺方面，TOPCon电池以较小的成本