晶体硅薄膜

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太阳能发电科技发展“十二五”专项规划来源: 发布时间:2012-07-11 15:56:31

材料国产化率达到50%; (2)晶体硅太阳电池整线成套装备国产化,具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力; (3)单晶硅电池产业化平均效率突破20%,拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均
、西班牙等国为主要应用市场。晶体硅太阳电池市场份额超过85%,其商业化最高效率已经达到22%,技术向着高效率和薄片化发展,未来10-20年内仍将是市场主流;薄膜太阳电池市场份额约占15%,铜铟镓硒薄膜电池

十二五两项规划为太阳能风能产业发展指明方向来源:索比太阳能网 发布时间:2012-07-06 09:51:45

50%;晶体硅太阳电池整线成套装备国产化,具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力;单晶硅电池产业化平均效率突破20%,拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。   为保证
作为十二五规划的总体目标。   《太阳能发电科技发展十二五专项规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年,力争晶硅电池效率20%以上,硅基薄膜电池效率10%以上,初步

中国三代光伏发电技术的峥嵘历程来源:国际新能源网 发布时间:2012-07-04 17:13:29

品种繁多的薄膜电池,优点是材料用量少,售价较低,重大缺点是光电转化率只有晶体硅的一半,占地面积也较多。主要品种有:1、非晶、纳米晶、微晶等硅薄膜。2、CIGS即铜铟镓硒组成的薄膜。3、TeCd碲化镉薄膜
发电的技术又有什么差别? 第一代光伏发电技术=晶体硅光伏发电,有单晶硅和多晶硅的差别。优点是光电转化率较高,缺点是售价较贵,生产多晶硅耗能较多,也容易污染环境。 第二代光伏发电技术=花式

科技部高瞻远瞩 着力实现太阳能大规模利用来源:世纪新能源网 发布时间:2012-07-04 14:48:22

。 《太阳能发电科技发展十二五专项规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年,力争晶硅电池效率20%以上,硅基薄膜电池效率10%以上,初步实现用户侧并环保网光伏系统
平价上网,公用电网侧并网光伏系统上网电价低于0.8元/千瓦时。 在关键指标设计上,《规划》明确,到2015年,将实现多晶硅材料生产成本降低30%,配套材料国产化率达到50%;晶体硅太阳电池整线

光伏企业动态每日速览(第十八期)来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-07-04 00:00:59

,2012年7月1日,公司全资子公司漳州旗滨玻璃有限公司800t/d超白光伏基片生产线建设工程已基本完成,并于当日举行点火烤窑仪式。  五、绿能科技计划扩大2012年Q4晶体硅产能台湾地区太阳能硅片制造商
增长至3GW,是业内巨头保利协鑫产能的一半。GET总经理Lin Hur-Lon表示,额外的产能将销往国际市场。GET表示,目前,在台湾地区,GET的晶体出货量为2GW,晶硅切片出货量为1.5GW。该

困境中的创益太阳能来源:PV-Tech 发布时间:2012-07-03 23:59:59

2011年下半年的损失状况。这个挣扎中的非晶体硅薄膜公司表示正在重组业务来降低成本,使市场条件的影响最小化。然而,该公司由于会计管理发现异常情况,被迫停止了在香港证交所的交易。创益太阳能此前宣布到2009

“十二五”掌舵 太阳能风能方向明朗来源: 发布时间:2012-06-29 13:22:01

。《太阳能发电科技发展十二五专项规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年,力争晶硅电池效率20%以上,硅基薄膜电池效率10%以上,初步实现用户侧并网光伏系统平价上网,公用
电网侧并网光伏系统上网电价低于0.8元/千瓦时。在关键指标设计上,《规划》明确,到2015年,将实现多晶硅材料生产成本降低30%,配套材料国产化率达到50%;晶体硅太阳电池整线成套装备国产化,具备

“十二五”为太阳能风能科技发展指明方向来源:国家工程建设标准化信息网 发布时间:2012-06-29 11:55:43

科技发展十二五专项规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年,力争晶硅电池效率20%以上,硅基薄膜电池效率10%以上,初步实现用户侧并网光伏系统平价上网,公用
电网侧并网光伏系统上网电价低于0.8元/千瓦时。 在关键指标设计上,《规划》明确,到2015年,将实现多晶硅材料生产成本降低30%,配套材料国产化率达到50%;晶体硅太阳电池整线成套装备国产化,具备

指尖上的光伏(二)来源: 发布时间:2012-06-27 10:10:59

天生就有一种渴望支配和获取更多能源的本能,这就是人性的贪婪或者说是进取精神。当你有能力支配更多的能源时,你就能够吃上更精美的食物,住上更豪华的房子,体验到更完美的旅行。晶体硅电池发展的趋势是低成本发电,这是
光伏技术的发展方向。低成本的实现途径包括效率提高、成本下降及组件寿命提升三方面。效率的提高依赖工艺的改进、材料的改进及电池结构的改进。目前的电池光电转化效率,多晶硅约16%,非晶硅薄膜约9%。成本的

HIT电池表面钝化技术的研究来源: 发布时间:2012-06-11 09:55:03

索比光伏网讯:摘要:本文采用PECVD技术沉积本征非晶硅薄膜,研究少子寿命随本征层厚度、沉积气压、射频功率、氢稀释度以及硅片清洗工艺的变化规律。结果表明:本征层厚度要适中。随着沉积气压、射频功率和氢
稀释度的增加,少子寿命均呈现先增大而后减小的趋势。同时,采用HF/O3清洗技术能使少子寿命得到很大的改善。1前言晶体硅电池具有转换效率高、技术成熟等优点。但传统的高温扩散工艺又限制了转换效率的提高和