晶体硅电池成本

成本下降幅度远超市场预期。首先，硅片厚度持续降低。降低硅片厚度是减少硅材料消耗，降低晶体硅太阳电池成本有效技术措施之一。30多年来，太阳电池硅片厚度从20世纪70年代的450~500微米降低到目前的180
。近几年来，中国晶体硅光伏组件制造技术取得了巨大进步。围绕着降低成本的各种研究开发工作取得显著成就，表现在晶硅原材料制备技术取得巨大突破，硅片厚度持续降低、电池效率不断提升等方面，在短短几年时间，光伏发电

原材料制备技术取得巨大突破，硅片厚度持续降低、电池效率不断提升等方面，在短短几年时间，光伏发电成本下降幅度远超市场预期。 首先，硅片厚度持续降低。降低硅片厚度是减少硅材料消耗，降低晶体硅太阳电池成本
成本，由于光伏发电的价格高于常规能源，因此市场主要依赖于国家对光伏发电的政策补贴。近几年来，中国晶体硅光伏组件制造技术取得了巨大进步。 围绕着降低成本的各种研究开发工作取得显著成就，表现在晶硅

时间，光伏发电成本下降幅度远超市场预期。首先，硅片厚度持续降低。降低硅片厚度是减少硅材料消耗，降低晶体硅太阳电池成本有效技术措施之一。30多年来，太阳电池硅片厚度从20世纪70年代的450~500微米降低到目前的

反倾销、反补贴调查的薄膜太阳能电池行业，在国家政策对可再生能源发电的推动下，正迎来了机遇。从长远来看，薄膜太阳能技术将逐渐替代晶体硅太阳能电池，这是太阳能技术发展的必然趋势。 在1月13日全联新能源
20.3%，组件转换效率最高也达15.7%，是目前光电转换效率较高的薄膜太阳电池。　　CIGS薄膜太阳能电池成本低、性能稳定、轻柔便携、透光性较好、适用性强，可以设计成任意尺寸和功率，适用于消费品市场、边远

太阳电池是基于薄膜材料的太阳电池。薄膜技术所需材料较晶体硅太阳电池少得多，且易于实现大面积电池的生产，可有效降低成本。薄膜电池主要有非晶硅薄膜电池、多晶硅薄膜电池、碲化镉以及铜铟硒薄膜电池，其中以多晶硅
贡献。 第三代太阳能电池前景展望 第三代光伏电池综合了第一、二代太阳能电池的优点，克服了第一代太阳能电池成本较高、第二代薄膜太阳能电池转换效率低的不足，并且具有原材料丰富、无毒、性能稳定

，晶体硅及薄膜太阳能电池的理论转换能大约能达到28%，而多结的III-V族电池理论转换率可超过60%，可见，目前聚光电池转化效率已达到了40%左右，但其可提升的空间还是很大的。成本仍是关键现在的问题是
，降低光伏电池成本的主要途径有5个：一是通过全光谱吸收进一步提高电池芯片的光电转换效率，二是通过衬底重复使用降低芯片制造成本，三是增加系统的聚光倍率和提高整个组件的光学效率，四是将光能和热能进行综合利用

薄膜太阳能电池。第二代太阳电池是基于薄膜材料的太阳电池。薄膜技术所需材料较晶体硅太阳电池少得多，且易于实现大面积电池的生产，可有效降低成本。薄膜电池主要有非晶硅薄膜电池、多晶硅薄膜电池、碲化镉以及铜铟
太阳能电池前景展望第三代光伏电池综合了第一、二代太阳能电池的优点，克服了第一代太阳能电池成本较高、第二代薄膜太阳能电池转换效率低的不足，并且具有原材料丰富、无毒、性能稳定耐用、对环境无危害等优点，在未来的

厚度是减少硅材料消耗，降低晶体硅太阳电池成本有效技术措施之一。30多年来，太阳电池硅片厚度从20世纪70年代的450-500微米降低到目前的180-200微米，降低了一半以上，对太阳电池成本降低起到

厚度是减少硅材料消耗，降低晶体硅太阳电池成本有效技术措施之一。30多年来，太阳电池硅片厚度从20世纪70年代的450-500微米降低到目前的180-200微米，降低了一半以上，对太阳电池成本降低起到

时间，光伏发电成本下降幅度远超市场预期。 首先，硅片厚度持续降低。降低硅片厚度是减少硅材料消耗，降低晶体硅太阳电池成本有效技术措施之一。30多年来，太阳电池硅片厚度从20世纪70年代的450~500
。近几年来，中国晶体硅光伏组件制造技术取得了巨大进步。 围绕着降低成本的各种研究开发工作取得显著成就，表现在晶硅原材料制备技术取得巨大突破，硅片厚度持续降低、电池效率不断提升等方面，在短短几年