晶体硅太阳电池
过高出现烧坏的暗斑。光伏组件热斑的形成主要由两个内在因素构成，即内阻和电池片自身暗电流。热斑耐久试验是为确定太阳电池组件承受热斑加热效应能力的检测试验。通过合理的时间和过程对太阳电池组件进行检测，用以
表明太阳电池能够在规定的条件下长期使用。热斑检测可采用红外线热像仪进行检测，红外线热像仪可利用热成像技术，以可见热图显示被测目标温度及其分布。隐裂形成原因及检测方法隐裂是指电池片中出现细小裂纹，电池片
过高出现烧坏的暗斑。光伏组件热斑的形成主要由两个内在因素构成，即内阻和电池片自身暗电流。热斑耐久试验是为确定太阳电池组件承受热斑加热效应能力的检测试验。通过合理的时间和过程对太阳电池组件进行检测，用以表明
太阳电池能够在规定的条件下长期使用。热斑检测可采用红外线热像仪进行检测，红外线热像仪可利用热成像技术，以可见热图显示被测目标温度及其分布。隐裂形成原因及检测方法隐裂是指电池片中出现细小裂纹，电池片的隐裂
太阳辐照度成正比（在线性误差范围内），根据毫伏表或电位差计测出的热电势就可以进行读数。目前光电型辐照计一般使用硅光电二极管传感器，也有使用标准太阳电池（Reference cells）作为辐照度传感器
晶体硅光伏方阵IV特性的现场测量》推荐的开路电压法来推算结温，但是其过程较为繁琐，不适用于实际户外操作。图7 胶带粘贴式测试（环氧树脂探头）图8 吸盘式温度传感器探头1.4 功率测试值的修正
面对日益严重的生态环境和传统能源短缺等危机，光伏组件制造行业迅猛发展，光伏组件质量控制环节中测试手段的不断增强，原来的外观和电性能测试已经远远不能满足行业的需求。目前一种可以测试晶体硅太阳电池及组件
潜在缺陷的方法为行业内广泛采用，文章基于电致发光（Electroluminescence）的理论，介绍利用近红外检测方法，可以检测出晶体硅太阳电池及组件中常见的隐性缺陷。主要包括：隐裂、黑心片、花片
的，其中上部分是由NREL开发的磷化铟镓（GaInP）太阳电池；下部分是由CSEM采用硅异质结（SHJ）技术开发的晶体硅电池。取得这项记录的关键是CSEM提出的新型双结太阳能电池结构设计。首次合作的
（NREL）与瑞士电子与微技术中心（CSEM）的研究人员共同开发出双结III-V族/硅太阳能电池，在将非集中太阳光转化为电能的效率方面创造了新纪录，达到29.8%。
这种太阳电池是由两种电池堆积构成
？user.id=2&activity.id=10247458 中国CIGS薄膜太阳能电池技术趋势及产业化进程主讲人：孙云教授时间：2016年1月12日 15：00-16：00简介：CIGS薄膜太阳电池是在玻璃等
廉价衬底上制备2-3微米半导体薄膜的光伏器件，一到两年内其光电转换效率不断攀升，小面积电池效率近日已达到21.7%，大幅度超过目前主流的多晶硅太阳电池世界纪录。该电池性能稳定不衰退，同等条件其发电能力
由两种电池堆积构成的，其中上部分是由NREL开发的磷化铟镓（GaInP）太阳电池；下部分是由CSEM采用硅异质结（SHJ）技术开发的晶体硅电池。取得这项记录的关键是CSEM提出的新型双结太阳能电池
下属的国家可再生能源实验室（NREL）与瑞士电子与微技术中心（CSEM）的研究人员共同开发出双结III-V族/硅太阳能电池，在将非集中太阳光转化为电能的效率方面创造了新纪录，达到29.8%。这种太阳电池是
构成的，其中上部分是由NREL开发的磷化铟镓（GaInP）太阳电池；下部分是由CSEM采用硅异质结（SHJ）技术开发的晶体硅电池。取得这项记录的关键是CSEM提出的新型双结太阳能电池结构设计。首次合作的
实验室（NREL）与瑞士电子与微技术中心（CSEM）的研究人员共同开发出双结III-V族/硅太阳能电池，在将非集中太阳光转化为电能的效率方面创造了新纪录，达到29.8%。这种太阳电池是由两种电池堆积
、变压器损失系统的直流、交流回路的线损要控制在5%以内。9）温度影响温度上升1℃，晶体硅太阳电池：最大输出功率下降0.04%，开路电压下降0.04%(-2mv/℃)，短路电流上升0.04%。四
，达不到理想的输出功率可能原因：影响光伏系统输出功率因素很多，包括太阳辐射量，太阳电池组件的倾斜角度，灰尘和阴影阻挡，组件的温度特性，详见第一章。因系统配置安装不当造成系统功率偏小。常见解决办法有：(1
化咨询认为，随着晶体硅太阳电池制造技术的不断更新进步，尤其是近年来PERC电池和N型电池等高效电池的兴起，实现十三五规划对效率的要求将不成问题，但这也对导电浆料提出了更高的性能要求。
总的来说，根据
160GW，年发电量达到1700亿千瓦时，年度总投资额约2000亿元。其中，光伏发电总装机容量达到150GW。亚化咨询统计数据显示，截至2015年底，中国光伏发电总装机容量约为45GW。晶硅太阳电池的
